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Two-dimensional pixel image lag simulation and optimization in a 4-T CMOS image sensor

Journal of Semiconductors 2010年第9期31卷 59-63页

作者：于俊庭李斌桥于平平徐江涛牟村 School of Electronics Information Engineering Tianjin University Logistics Management Office Hebei University of Technology

Pixel image lag in a 4-T CMOS image sensor is analyzed and simulated in a two-dimensional *** of reducing image lag are discussed from transfer gate channel threshold voltage doping adjustment,PPD N-type doping dose/implant tilt adjustment and transfer gate operation voltage adjustment for signal electron *** the computer analysis tool ISE-TCAD,simulation results show that minimum image lag can be obtained at a pinned photodiode n-type doping dose of 7.0×10^12 cm^-2,an implant tilt of -2°,a transfer gate channel doping dose of 3.0×10^12 cm^-2 and an operation voltage of 3.4 *** conclusions of this theoretical analysis can be a guideline for pixel design to improve the performance of 4-T CMOS image sensors.

关键词： image lag two-dimensional simulation doping dose implant tilt CMOS image sensor

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