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A high efficiency charge pump circuit for low power applications

Journal of Semiconductors 2010年第1期31卷 88-92页

作者：冯鹏李昀龙吴南健 State Key Laboratory for Super Lattices and Microstructures Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

A high efficiency charge pump circuit is designed and realized. The charge transfer switch is biased by the additional capacitor and transistor to eliminate the influence of the threshold voltage. Moreover, the bulk of the switch transistor is dynamically biased so that the threshold voltage gets lower when it is turned on during charge transfer and gets higher when it is turned off. As a result, the efficiency of the charge pump circuit can be improved. A test chip has been implemented in a 0.18μm 3.3 V standard CMOS process. The measured output voltage of the eight-pumpingstage charge pump is 9.8 V with each pumping capacitor of 0.5 pF at an output current of 0.18 μA, when the clock frequency is 780 kHz and the supply voltage is 2 V. The charge pump and the clock driver consume a total current of 2.9 μA from the power supply. This circuit is suitable for low power applications.

关键词： high efficiency low power charge pump circuit high-voltage generator standard CMOS process

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