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A novel on-chip high to low voltage power conversion circuit

Journal of Semiconductors 2009年第3期30卷 122-126页

作者：王辉王松林来新泉叶强牟在鑫李先锐郭宝龙 Institute of Mechano-electronic Engineering Xidian University Institute of Electronic CAD Xidian University

A novel power supply transform technique for high voltage IC based on the TSMC 0.6μm BCD process is achieved. An adjustable bandgap voltage reference is presented which is different from the traditional power supply transform technique. It can be used as an internal power supply for high voltage IC by using the push-pull output stage to enhance its load capability. high-order temperature compensated circuit is designed to ensure the precision of the reference. Only 0.01 mm^2 area is occupied using this novel power supply technique. Compared with traditional technique, 50% of the area is saved, 40% quiescent power loss is decreased, and the temperature coefficient of the reference is only 4.48 ppm/℃. Compared with the traditional LDO （low dropout） regulator, this power conversion architecture does not need external output capacitance and decreases the chip-pin and external components, so the PCB area and design cost are also decreased. The testing results show that this circuit works well.

关键词： power management bandgap reference high-order temperature compensation push-pull output

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