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Advantages of InGaN/GaN light emitting diodes with p-GaN grown under high pressure

Journal of Semiconductors 2014年第11期35卷 70-73页

作者：付丙磊刘乃鑫刘喆李晋闽王军喜 Research and Development Center for Semiconductor Lighting Chinese Academy of Sciences

The advantages of InGaN/GaN light emitting diodes （LEDs） with p-GaN grown under high pressures are studied. It is shown that the high growth pressure could lead to better electronic properties of p-GaN layers due to the eliminated compensation effect. The contact resistivity of p-GaN layers are decreased due to the reduced donor-like defects on the p-GaN surface. The leakage current is also reduced, which may be induced by the better filling of V-defects with p-GaN layers grown under high pressures. The LED efficiency thus could be enhanced with high pressure grown p-GaN layers.

关键词： light emitting diodes V-defects growth pressure p-GaN

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