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用热激电流测量方法研究gap与GaAs中深能级态

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发光学报 1975年第6期 27-27页

作者： R.N.Bhargava 美国菲利浦实验室

已经采用热激电流测量方法(简写为TSC)研究了gap、GaAsP、GaAs之类的光电子材料中的深能态对于限制p—n结型器件的少数载流子寿命的作用。将TSC方法的结果与同一样品的发光特性配合起来,就能得到有关特定深能态对无辐射过程的作用的资... 详细信息

已经采用热激电流测量方法(简写为TSC)研究了gap、GaAsP、GaAs之类的光电子材料中的深能态对于限制p—n结型器件的少数载流子寿命的作用。将TSC方法的结果与同一样品的发光特性配合起来,就能得到有关特定深能态对无辐射过程的作用的资料。已经在p-n结和schottky势垒二极管上进行了TSC测量,从而可以

关键词：测量方法深能级电子能态热激电流 GaAs gap

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双n层gap液相外延生长

人工晶体 1988年第Z1期 305-305页

作者：李桂英王幼云北京有色金属研究总院

我们采用气相掺 Zn、掺 N 薄溶液过补偿液相外延生长双 n 层 gap 工艺,在掺 S 的 gap 单晶衬底上生长两个 n 型和一个 p 型 gap 外延层。外延片表面光亮平整,生长结平直,各层厚度均为7～20μm。用光荧光法在77K 测出外延片的 N 浓度全... 详细信息

我们采用气相掺 Zn、掺 N 薄溶液过补偿液相外延生长双 n 层 gap 工艺,在掺 S 的 gap 单晶衬底上生长两个 n 型和一个 p 型 gap 外延层。外延片表面光亮平整,生长结平直,各层厚度均为7～20μm。用光荧光法在77K 测出外延片的 N 浓度全部大于1010/cm3。gap 外延片光致发光光谱和日本 gap 外延片光致发光光谱基本相同,只是日本外延片的 A 峰消失了。而我们的还存

关键词：液相外延生长外延片 gap

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单轴应力下掺氮gap光致发光研究

红外与毫米波学报 1984年第4期 277-277页

作者：林昭(火回) 张丽珠童晓民姚秀琛张伯蕊秦国刚李桂英北京大学物理系冶金部北京有色金属研究总院

我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN峰,我们通过单轴应力下的光致发光研究观察到NN线。实验样品是液相外延N型gap,实验样品有两种（以下简称样品A和样品B）,它们掺杂浓度不... 详细信息

我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN峰,我们通过单轴应力下的光致发光研究观察到NN线。实验样品是液相外延N型gap,实验样品有两种（以下简称样品A和样品B）,它们掺杂浓度不同,样品A长7.5mm,宽4.34mm,厚0.40mm,样品B长7.5mm宽4.34mm,

关键词：单轴应力光致发光峰位 gap

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Si在gap(111)衬底上的分子束外延

复旦学报(自然科学版) 1987年第4期 390-390页

作者：蒋维栋复旦大学物理学系

在用分子束外延技术制备半导体异质结时,选择晶格常数相匹配的材料是获得高质量外延膜的关键因素之一.Si和gap这两种材料的晶格失配仅为0.37%,而且它们的热膨胀系数和弹性常数也非常接近,因此Si/gap系统是一种非常适用于分子束外延生长... 详细信息

在用分子束外延技术制备半导体异质结时,选择晶格常数相匹配的材料是获得高质量外延膜的关键因素之一.Si和gap这两种材料的晶格失配仅为0.37%,而且它们的热膨胀系数和弹性常数也非常接近,因此Si/gap系统是一种非常适用于分子束外延生长的结构.本文对这一体系的外延生长特性作了初步的研究. 外延生长是在一台超高真空电子束蒸发装置中进行的,它由相互间可以隔离的生长室、分析室和进样室三部分组成.生长室中配有8kW的电子束蒸发器、石英晶体厚度监视器、高能电子衍射仪（RHEED）、液氮冷屏罩和一个可使样品自转的样品架.生长室的极限真空度可达8×10;Pa,工作时压强保持在1×10;Pa.Si的蒸发速率为0.4A/S,

关键词：衬底基片衍射图样超高真空 Si RHEED gap

用于绿色发光二极管的气相外延gap的生长和性能

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上海有色金属 1976年第4期 30-30页

作者：沈勇将

气相外延的GaAsP是商业上用于红色(最近又用于橙色和黄色)发光二极管最成功的材料。用于绿色发光二极管(实际上是565—570毫微米占优势的波长的黄绿光)的掺氮gap,通常系采用液相外延工艺生长,因为由富镓溶液的溶液生长法早已成功,可供... 详细信息

气相外延的GaAsP是商业上用于红色(最近又用于橙色和黄色)发光二极管最成功的材料。用于绿色发光二极管(实际上是565—570毫微米占优势的波长的黄绿光)的掺氮gap,通常系采用液相外延工艺生长,因为由富镓溶液的溶液生长法早已成功,可供显示绿色电发光的二极管用,其效率高达0.1%。发光二极管的效率取决于几何形状、封装和电流密度。由

关键词：发光二极管掺氮结型发光器件气相外延液相外延 gap

国产ZFL018型高压单晶炉及液体复盖直拉法生长gap单晶

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仪表材料 1980年第4期 82-82页

作者：邓志杰俞斌才刘锡田冶金部有色金属研究院

介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿... 详细信息

介绍了国产ZFLO18型高压单晶炉的主要性能和特点,主要是:热态下(坩埚加热到1500℃)可经受100大气压;可采用电阻、高频两种加热方式;配用工业电视可遥控整个拉品过程;上下炉膛采用螺帽连接既使受力均匀,开启也较方便;上下轴均有压力补偿,采用“O”形密封,运转比较灵活;可用热偶取出信号进行控温等。用液体复盖直拉法(LEC法)在该单晶炉内进行了gap单晶生长实验,采用电阻加热方式,在我国首次拉制出了适于绿色(黄、红)发光二极管衬底的掺Te的gap单晶。详细介绍了所用热场配置、掺杂计算,工艺

关键词：直拉法提拉法高压单晶炉 ZFL018 gap 复盖