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用热激电流测量方法研究GaP与GaAs中深能级态

作者：R.N.Bhargava

出版物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年卷期：1975年第6期

页面：27-27页

摘要：已经采用热激电流测量方法(简写为TSC)研究了GaP、GaAsP、GaAs之类的光电子材料中的深能态对于限制p—n结型器件的少数载流子寿命的作用。将TSC方法的结果与同一样品的发光特性配合起来,就能得到有关特定深能态对无辐射过程的作用的资料。已经在p-n结和schottky势垒二极管上进行了TSC测量,从而可以

本地馆藏 |

1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。 2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。 3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆 4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。 5、服务电话续借：59003605 59003606 咨询：81100100 59003600

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