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Wide dynamic range CMOS image sensor with in-pixel double-exposure and synthesis

Journal of Semiconductors 2010年第5期31卷 73-77页

作者：李斌桥孙忠岩徐江涛 School of Electronics and Information Engineering Tianjin University

A wide-dynamic-range CMOS image sensor（CIS） based on synthesis of a long-time and a short-time exposure signal in the floating diffusion（FD） of a five-transistor active pixel is *** optimized pixel operation,the response curve is compressed and a wide dynamic range image is obtained.A prototype wide-dynamic-range CMOS image sensor was developed with a 0.18μm CIS *** the double exposure time 2.4 ms and 70 ns,the dynamic range of the proposed sensor is 80 dB with 30 frames per second（fps）.The proposed CMOS image sensor meets the demands of applications in security surveillance systems.

关键词： CMOS image sensor double exposure dynamic range five-transistor active pixel

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