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extrinsic equivalent circuit modeling of InP HEMTs based on full-wave electromagnetic simulation

Chinese Physics B 2022年第4期31卷 638-646页

作者： Shi-Yu Feng Yong-Bo Su Peng Ding Jing-Tao Zhou Song-Ang Peng Wu-Chang Ding Zhi Jin University of Chinese Academic of Sciences Beijing 100029China High-Frequency High-Voltage Device and Integrated circuits Center Institute of MicroelectronicsChinese Academy of SciencesBeijing 100029China

With the widespread utilization of indium-phosphide-based high-electron-mobility transistors(InP HEMTs)in the millimeter-wave(mmW)band,the distributed and high-frequency parasitic coupling behavior of the device is particularly *** present an InP HEMT extrinsic parasitic equivalent circuit,in which the conductance between the device electrodes and a new gate-drain mutual inductance term L_(mgd)are taken into account for the high-frequency magnetic field coupling between device *** on the suggested parasitic equivalent circuit,through HFSS and advanced design system(ADS)co-simulation,the equivalent circuit parameters are directly extracted in the multi-step *** HFSS simulation prediction,measurement data,and modeled frequency response are compared with each other to verify the feasibility of the extraction method and the accuracy of the equivalent *** proposed model demonstrates the distributed and radio-frequency behavior of the device and solves the problem that the equivalent circuit parameters of the conventional InP HEMTs device are limited by the device model and inaccurate at high frequencies when being extracted.

关键词： extrinsic equivalent circuit modeling InP HEMT HFSS and ADS co-simulation S-parameters

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