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Subthreshold behavior of AlInSb/InSb high electron mobility transistors

Chinese Physics B 2015年第7期24卷 360-364页

作者： S.Theodore Chandra N.B.Balamurugan G.Lakshmi Priya S.Manikandan Department of Electronics and Communication Engineering Thiagarajar College of Engineering

We propose a scaling theory for single gate Al In Sb/In Sb high electron mobility transistors（HEMTs） by solving the two-dimensional（2D） Poisson equation. In our model, the effective conductive path effect（ECPE） is taken into account to overcome the problems arising from the device scaling. The potential in the effective conducting path is developed and a simple scaling equation is derived. This equation is solved to obtain the minimum channel potential Φdeff,minand the new scaling factor α to model the subthreshold behavior of the HEMTs. The developed model minimizes the leakage current and improves the subthreshold swing degradation of the HEMTs. The results of the analytical model are verified by numerical simulation with a Sentaurus TCAD device simulator.

关键词： scaling theory subthreshold behavior effective conducting path effect short channel effect

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