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Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer

Journal of Semiconductors 2011年第6期32卷 47-50页

作者：郭恩卿刘志强汪炼成伊晓燕王国宏 Research and Development Center for Semiconductor Lighting Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

A GaN vertical light emitting diode（LED）with a current block layer（CBL）was *** LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were *** and electrical tests were carried *** results show that the light output power of vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL are 40.6%and 60.7%higher than that of vertical LEDs without a CBL at 350 mA,*** efficiencies of vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL drop to 72%,78%and 85.5%of their maximum efficiency at 350 mA,respectively. Moreover,vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL have relatively superior anti-electrostatic ability.

关键词： current block layer efficiency drop vertical LED non-ohmic contact

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