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  • 1 篇 周建新
  • 1 篇 张助华
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  • 1 篇 韦晓莹
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Analysis of the resistive switching behaviors of vanadium oxide thin film
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Chinese Physics B 2013年 第3期22卷 437-441页
作者： 韦晓莹 胡明 张楷亮 王芳 赵金石 苗银萍 School of Electronics Information Engineering Tianjin University School of Electronics Information Engineering Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices Tianjin University of Technology
We demonstrate the polarization of resistive switching for a Cu/VOx/Cu memory *** switching behaviors of Cu/VOx/Cu cell are tested by using a semiconductor device analyzer（Agilent B1500A）,and the relative micro-anal... 详细信息
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半导体薄膜表面粘附的非对称性偏压调控
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Acta Mechanica Sinica 2023年 第3期39卷 1-6页
作者： 李保文 轩啸宇 殷艳 周建新 张助华 易敏 郭万林 Key Laboratory for Intelligent Nano Materials and Devices of the Ministry of Education and Institute of NanoscienceState Key Laboratory of Mechanics and Control of Mechanical StructuresNanjing University of Aeronautics and AstronauticsNanjing210016China
电调控表面粘附对微机电系统是至关重要的,同时相对于外加电压极性常具有对称性.本文以二硫化钼为研究对象,以石墨烯、氮化硼和n型硅为参照组展示半导体薄膜表面的非对称粘附行为.研究主要通过导电原子力显微镜和理论模拟来揭示金探针... 详细信息
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