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columnar growth of crystalline silicon films on aluminium-coated glass by inductively coupled plasma CVD at room temperature

引用

Chinese Physics B 2009年第2期18卷 773-777页

作者：王金晓秦艳丽闫恒庆高平奇栗军帅尹旻贺德衍 Department of Physics Lanzhou University

Silicon films were grown on aluminium-coated glass by inductively coupled plasma CVD at room temperature using a mixture of SiH4 and H2 as the source gas. The microstructure of the films was evaluated using Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. It was found that the films are composed of columnar grains and their surfaces show a random and uniform distribution of silicon nanocones. Such a microstructure is highly advantageous to the application of the films in solar cells and electron emission devices. Field electron emission measurement of the films demonstrated that the threshold field strength is as low as -9.8V/μm and the electron emission characteristic is reproducible. In addition, a mechanism is suggested for the columnar growth of crystalline silicon films on aluminium-coated glass at room temperature.

关键词： surface structure columnar growth inductively coupled plasma CVD crystalline silicon films

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