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antireflection properties and solar cell application of silicon nanoscructures

Journal of Semiconductors 2011年第8期32卷 55-60页

作者：岳会会贾锐陈晨丁武昌武德起刘新宇 Key Laboratory of Microwave Devices and Integrated Circuits Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences

Silicon nanowire arrays（SiNWAs） are fabricated on polished pyramids of textured Si using an aqueous chemical etching *** silicon nanowires themselves or hybrid structures of nanowires and pyramids both show strong anti-reflectance abilities in the wavelength region of 300-1000 nm,and reflectances of 2.52%and less than 8%are achieved,respectively.A 12.45%SiNWAs-textured solar cell（SC） with a short circuit current of 34.82 mA/cm^2 and open circuit voltage（K_（oc）） of 594 mV was fabricated on 125×125 mm^2 Si using a conventional process including metal grid *** is revealed that passivation is essential for hybrid structure textured SCs,and K_（oc） can be enlarged by 28.6%from 420 V to 560 mV after the passivation layer is *** loss mechanism of SiNWA SC was investigated in detail by systematic comparison of the basic parameters and external quantum efficiency（EQE） of samples with different fabrication *** is proved that surface passivation and fabrication of a metal grid are critical for high efficiency SiNWA SC,and the performance of SiNWA SC could be improved when fabricated on a substrate with an initial PN junction.

关键词： antireflection properties silicon nanowires solar cells passivation

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