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第十九届全国光散射学术会议

作者： Dishu Zhao Fangze Wang Lingyu Wan Qingyi Yang Zhe Chuan Feng Laboratory of optoelectronic materials ＆ detection technology Guangxi Key Laboratory for the Relativistic Astrophysics College of Physics Science ＆ Technology Guangxi University

＜正＞Silicon carbide（Si C）is a wide bandgap semiconductor having high critical electric field strength,making it especially attractive for high-power and high-temperature *** development of Si C devices relies

关键词：关键词 4H-SiC Raman anisotropic property wurtzite

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Anisotropy of two-dimensional ReS_(2)and advances in its device application

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Rare Metals 2021年第12期40卷 3357-3374页

作者： Ya-Di Cao Ying-Hui Sun Su-Fei Shi Rong-Ming Wang Beijing Advanced Innovation Center for Materials Genome Engineering Beijing Key Laboratory for Magneto-Photoelectrical Composite and Interface ScienceSchool of Mathematics and PhysicsUniversity of Science and Technology BeijingBeijing100083China Department of Chemical and Biological Engineering Rensselaer Polytechnic InstituteTroyNY 12180USA Department of Electrical Computer and Systems EngineeringRensselaer Polytechnic InstituteTroyNY 12180USA

Two-dimensional(2D)transition metal dichalcogenides(TMDCs)have attracted growing interest regarding their potential applications in next-generation electronic and optoelectronic *** to their atomic thickness and tunable bandgap,they exhibit unique mechanical,electrical,and optical *** a specific member of the TMDC family,rhenium disulfide(ReS_(2))has stimulated intensive interest due to its anisotropic crystal structure,weak inter-layer coupling,and anisotropic electrical and optical *** this review,we summarize the distinct crystal structure and intrinsic anisotropic properties of ReS_(2),followed by an introduction to its synthesis *** current applications of ReS_(2)and its heterojunctions are presented based on its anisotropic *** review not only provides a timely summary of the current applications of ReS_(2)and its heterojunctions,but also inspires new approaches to develop other innovative devices based on 2D materials with a low lattice symmetry.

关键词： Transition metal dichalcogenides(TMDCs) Rhenium disulfide anisotropic property Heterojunction Functional device

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anisotropic properties of TaS2

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Chinese Physics B 2007年第12期16卷 3809-3814页

作者：乔彦彬李延龄钟国华曾雉秦晓英 Key Laboratory of Materials Physics Institute of Solid State Physics Chinese Academy of Sciences Hefei 230031 China Department of Physics Xuzhou Normal University Xuzhou 221116 China

The anisotropic properties of 1T- and 2H-TaS2 axe investigated by the density functional theory within the framework of full-potential linearized augmented plane wave method. The band structures of 1T- and 2H-TaS2 exhibit anisotropic properties and the calculated electronic specific-heat coefficient γ of 2H-TaS2 accords well with the existing experimental value. The anisotropic frequency-dependent dielectric functions including the effect of the Drude term are analysed, where the ε^xx（ω） spectra corresponding to the electric field E perpendicular to the z axis show excellent agreement with the measured results except for the ε1^xx（ω） of 1T-TaS2 below the energy level of 2.6 eV which is due to the lack of the enough CDW information for reference in our calculation. Furthermore, based on the values of optical effective mass ratio P of 1T and 2H phases it is found that the anisotropy in 2H-TaS2 is stronger than that in 1T-TaS2.

关键词： anisotropic property band structure dielectric function

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一个各向异性插值定理及其在二阶问题混合元中的应用

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高等学校计算数学学报 2004年第3期26卷 230-240页

作者：宋士仓陈绍春郑州大学数学系郑州大学数学系郑州 450052

1引言设Ω Rn是有界区域, {Jh}是Ω的单元剖分族, Jn={K1,K2,…,KN},Ω=UKi∈Jh Ki,Ki是单元.对传统的有限元方法,剖分需满足正则性条件或非退化条件,即存在与K∈Jh和Jh无关的常数C,使得hK/pK≤C,其中hk是K的直径,pK为含于K内最大球的... 详细信息

1引言设Ω Rn是有界区域, {Jh}是Ω的单元剖分族, Jn={K1,K2,…,KN},Ω=UKi∈Jh Ki,Ki是单元.对传统的有限元方法,剖分需满足正则性条件或非退化条件,即存在与K∈Jh和Jh无关的常数C,使得hK/pK≤C,其中hk是K的直径,pK为含于K内最大球的直径。对传统有限元来说,上述条件不仅是收敛性分析所必需条件,而且也是某些有限元软件的规定.但是最近的一些研究表明,正则性条件不是有限元收敛性的必要条件,一些已知单元可以很好地应用于任意窄边单元剖分.对于定义

关键词： anisotropic property interpolate approximation second order ellip-tic problem mixed element.

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