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analog and radio-frequency performance analysis of silicon-nanotube mosfets

Journal of Semiconductors 2016年第6期37卷 60-63页

作者： pramod kumar tiwari mukesh kumar ramavathu sakru naik gopi krishna saramekala Department of Electronics and Communication Engineering National Institute of TechnologyRourkela-769008OdishaIndia

This work presents a comparative study of the influence of various parameters on the analog and rf properties of silicon-nanotube mosfets and nanowire-based gate-all-around（gaa） mosfets.The important analog and rf performance parameters of sint FETs and gaa mosfets,namely drain current（/d）,transconductance to drain current ratio（g_m/I_d）,I_（on）/I_（off）,the cut-off frequency（f_T） and the maximum frequency of oscillation（/max） are evaluated with the help of Y- and H-parameters which are obtained from a 3-D device simulator,ATLAS^（TM）.It is found that the silicon-nanotube mosfets have far more superior analog and rf characteristics（g_m/I_d,f_T and /max） compared to the nanowire-based gate-all-around gaa mosfets.The silicon-nanotube MOSFET shows an improvement of ~2.5 and 3 times in the case of f_T and /max values respectively compared with the nanowire-based gate-all-around（gaa） MOSFET.

关键词： analog and rf sint mosfets gaa mosfets unity gain frequency unity power frequency

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