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主题

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  • 3 篇 光致发光
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  • 1 篇 量子限制
  • 1 篇 快速热退火
  • 1 篇 等离子体氧化
  • 1 篇 发光机理
  • 1 篇 光谱蓝移
  • 1 篇 化学气相淀积
  • 1 篇 薄膜结构分析
  • 1 篇 nc-si
  • 1 篇 蓝光发射

机构

  • 4 篇 南京大学

作者

  • 4 篇 黄信凡
  • 4 篇 马忠元
  • 4 篇 陈坤基
  • 3 篇 韩培高
  • 3 篇 李伟
  • 2 篇 冯端
  • 2 篇 朱达
  • 2 篇 徐岭
  • 2 篇 徐骏
  • 1 篇 钱波
  • 1 篇 陈三
  • 1 篇 梅嘉欣
  • 1 篇 陈三钱波
  • 1 篇 隋妍萍

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=a-Si:H/SiO2多层膜"
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a-si:h/sio2多层膜晶化过程中的发光机理
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Journal of Semiconductors 2006年 第Z1期27卷 76-79页
作者： 马忠元 韩培高 李伟 陈三 钱波 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京210093
采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-si:h薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-si:h子层厚度的a-si:h/sio2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-si:h/sio2多层膜中a-si:h层... 详细信息
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原位等离子体逐层氧化a-si:h/sio_2多层膜的光致发光研究
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物理学报 2004年 第8期53卷 2746-2750页
作者： 马忠元 黄信凡 朱达 李伟 陈坤基 冯端 南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京210093
采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a si:h和原位等离子体逐层氧化的方法制备a si:h sio2 多层膜 .改变a si:h层的厚度 ,首次在室温下观察到来自a si:h sio2 多层膜较强的蓝色光致发光和从 4 6 5到 4 35nm的蓝移 .x射线能谱证明 ... 详细信息
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快速热退火对a_si:h/sio_2多层膜光致发光的影响
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南京大学学报（自然科学版） 2005年 第1期41卷 55-60页
作者： 马忠元 韩培高 黄信凡 隋妍萍 陈三钱波 李伟 徐岭 徐骏 陈坤基 南京大学物理系 南京210093
采用在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中沉积a_si:h和原位等离子体逐层氧化的方法制备a_si:h/sio2 多层膜 .用快速热退火对a_si:h/sio2 多层膜进行处理 ,制备nc_si/sio2 多层膜 ,研究了这种方法对a_si:h/sio2 多层膜发光特性的影... 详细信息
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含氢a-si:h/sio_2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究
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科学通报 2004年 第20期49卷 2045-2048页
作者： 朱达 马忠元 梅嘉欣 韩培高 黄信凡 陈坤基 南京大学物理系 固体微结构国家重点实验室南京210093
在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-sih层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a-sih子层厚度的含氢a-sih/sio2多层膜,在室温下用肉眼观察到了较强的光致蓝光发射,与此同时还观察到其发光... 详细信息
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