检索结果-南通市图书馆

ZnS/znse红外材料两相界面结合技术的研究

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硅酸盐通报 2013年第7期32卷 1297-1300页

作者：滕祥红崔洪梅高明钱纁肖红涛张旭北京中材人工晶体研究院有限公司北京100018 西安应用光学研究所西安710061

本文主要通过对CVDZnS表面进行不同的表面处理技术后经二次沉积znse制备了ZnS/znse复合材料,研究了ZnS/znse复合材料的两相界面结合机理以及对红外透过率的影响。结果表明:采用等离子清洗后的ZnS有利于两相界面的结合,通过在ZnS表面刻... 详细信息

本文主要通过对CVDZnS表面进行不同的表面处理技术后经二次沉积znse制备了ZnS/znse复合材料,研究了ZnS/znse复合材料的两相界面结合机理以及对红外透过率的影响。结果表明:采用等离子清洗后的ZnS有利于两相界面的结合,通过在ZnS表面刻蚀处理使两相界面形成牢固的镶嵌结构,有利于提高两相界面的结合强度。

关键词： ZnS znse 界面结合

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一维znse半导体纳米材料的制备与特性

Journal of Semiconductors 2003年第1期24卷 58-62页

作者：李焕勇介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室

在三种新溶剂三乙胺、二乙胺、三乙醇胺中 ,以 KBH4 为还原剂 ,由改进的溶剂热方法于 170℃制备了 Zn Se纳米材料 ,XRD、TEM研究表明最终产物为一维 Zn Se半导体纳米晶材料 ,室温产物为球形 Zn Se纳米材料 .初步研究了一维 Zn Se纳米材... 详细信息

在三种新溶剂三乙胺、二乙胺、三乙醇胺中 ,以 KBH4 为还原剂 ,由改进的溶剂热方法于 170℃制备了 Zn Se纳米材料 ,XRD、TEM研究表明最终产物为一维 Zn Se半导体纳米晶材料 ,室温产物为球形 Zn Se纳米材料 .初步研究了一维 Zn Se纳米材料的光学吸收和热稳定性 .结果表明 ,不同条件 (溶剂 ,温度 )下 Zn Se具有不同的形貌 ;Zn Se在常温下具有一定稳定性 ,4 0 0℃以上时在空气中可转化为 Zn O纳米材料 ;并用过渡态配合物的概念解释了实验现象 .

关键词： znse 半导体纳米材料制备二乙胺三乙胺三乙醇胺一维纳米材料过渡态配合物硒化锌

关于znse—ZnS应变超晶格P型导电机理的探讨

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发光学报 1990年第4期11卷 295-299页

作者：江风益范希武杨爱华范广涵江西工业大学中国科学院长春物理研究所

本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A znse-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释znse-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主能级可能处于ZnS层... 详细信息

本文利用变温Hall测量,证实了我们用MOCVD法生长的No.87—39A znse-ZnS应变超品格(SLS)具有P型导电特性。文中试图从应变超晶格的临界厚度,电学参数、能带结构等方面解释znse-ZnS SLS反型的原因。文中指出,这时的受主能级可能处于ZnS层靠近界面附近,这些受主能级的位置比ZnSc阱中满带顶能量低。

关键词： znse ZnS 应变超晶格异电机理

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CVD法生长znse的工艺分析

人工晶体学报 2004年第2期33卷 235-237页

作者：王向阳方珍意蔡以超张力强肖红涛中非人工晶体研究院北京100018

采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长CVDznse,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长znse的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精... 详细信息

采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长CVDznse,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长znse的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的znse生长形态,生长出了质量良好的znse多晶体,透过率超过70%。

关键词： CVD法 znse 温度压力透过率化学气相沉积光学吸收系数

飞秒激光流动烧蚀制备znse有机复合量子点

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激光与红外 2017年第9期47卷 1071-1075页

作者：杨超冯国英王树同宁守贵周寿桓四川大学电子信息学院激光微纳工程研究所四川成都610065 华北光电技术研究所北京100015

采用飞秒激光流动烧蚀法制备了聚乙烯亚胺(PEI)包覆的znse量子点水相分散液。水相分散液外观呈现亮黄色透明液体状。多个znse有机复合量子点在水中聚集形成球形胶束,通过扫描电子显微镜(SEM)检测发现,胶束粒径为40~100 nm。利用高分辨... 详细信息

采用飞秒激光流动烧蚀法制备了聚乙烯亚胺(PEI)包覆的znse量子点水相分散液。水相分散液外观呈现亮黄色透明液体状。多个znse有机复合量子点在水中聚集形成球形胶束,通过扫描电子显微镜(SEM)检测发现,胶束粒径为40~100 nm。利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线衍射(XRD)研究znse晶体学特性变化,结果表明制得的znse量子点保持了块体znse的立方闪锌矿晶型。该znse有机复合量子点的水分散液在365 nm紫外光照射下显示出明亮的绿色荧光,荧光中心波长约在500 nm处。采用光致发光光谱和紫外可见吸收光谱研究了该有机复合量子点的pH值响应特性,结果表明随着分散液中pH值由9降低到4,光致发光光谱显示出蓝移特性,波长最大蓝移量为25 nm。讨论了绿色荧光的来源与荧光波长调谐的可能机理。

关键词： znse 量子点飞秒激光光致发光光谱 pH值响应

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霉菌对Ge、ZnS和znse膜层的影响

红外技术 2016年第12期38卷 1078-1081页

作者：杨玉萍字正华钟辉江学军李大庆刘剑赵远荣国营第二九八厂昆明物理研究所中国人民解放军78336部队陆军重庆军事代表局驻昆明地区军事代表室中国人民解放军63963部队

采取自然环境试验和实验室霉菌试验相结合的方法,研究霉菌对Ge、ZnS和znse镀增透膜和碳膜的影响。通过显微镜和扫描电镜对霉菌试验结果进行观察和检测。试验结果表明:未镀膜的Ge、ZnS和znse材料抗霉能力较强;增透膜和碳膜抗霉能力较弱,... 详细信息

采取自然环境试验和实验室霉菌试验相结合的方法,研究霉菌对Ge、ZnS和znse镀增透膜和碳膜的影响。通过显微镜和扫描电镜对霉菌试验结果进行观察和检测。试验结果表明:未镀膜的Ge、ZnS和znse材料抗霉能力较强;增透膜和碳膜抗霉能力较弱,容易长霉,其主要长霉原因是增透膜和碳膜为霉菌生长提供了营养成分。

关键词： Ge ZnS znse 增透膜碳膜霉菌

飞秒激光作用znse晶体产生和探测THz辐射的实验

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Journal of Semiconductors 2006年第8期27卷 1412-1416页

作者：吴晓君黄敏陈晓姝赵福利贾天卿王钢许宁生中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州510275

实验研究了znse单晶的光学整流THz产生,借助电光取样技术得到THz脉冲的时域波形和FFT频谱分布,观察到约113fs的THz辐射场分布,及相应约5·8THz的频谱分布,辐射峰位于3THz左右.对比研究了不同表面的znse晶体的THz辐射峰值强度随激发光功... 详细信息

实验研究了znse单晶的光学整流THz产生,借助电光取样技术得到THz脉冲的时域波形和FFT频谱分布,观察到约113fs的THz辐射场分布,及相应约5·8THz的频谱分布,辐射峰位于3THz左右.对比研究了不同表面的znse晶体的THz辐射峰值强度随激发光功率的变化,通过轻微烧蚀模型定性解释了高激发功率下THz信号的饱和机制.

关键词： THz 飞秒激光 znse 光学整流电光取样

Temperature dependence of excitonic transition in znse/ZnCdSe quantum wells

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Optoelectronics Letters 2005年第3期 10-13页

作者： GUO Zi-zheng~(1,2**), LIANG Xi-xia~1, and BAN Shi-liang~11.Department of Physics,Inner Mongolia University,Hohhot 010021,P.R.China2.Department of Physics,Inner Mongolia Normal University,Hohhot 010022,P.R.China

A theoretical calculation for the temperature dependence of the excitonic transition in znse/ZnCdSe quantum wells is performed. The exciton binding energy is calculated with a variational technique by considering the temperature-dependence parameters. Our results show that the exciton binding energy reduces linearly with temperature increasing. We find that the strain due to lattice mismatch and differential thermal expansion decreases with the temperature increasing.

关键词： znse CdSe Temperature dependence of excitonic transition in znse/ZnCdSe quantum wells

Fe^(2+)∶znse激光晶体光学吸收及激光输出性能

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激光与红外 2014年第9期44卷 1000-1002页

作者：夏士兴张月娟李兴旺王永国莫小刚申英杰姚宝权华北光电技术研究所北京雷生强式科技有限责任公司北京100015 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家重点实验室哈尔滨150001

采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶znse晶体,测试晶体样品中铁离子浓度达1.27×1018cm-3。分析了Fe2+∶znse晶体光谱的光学吸收特性,在室温条件下,采用2.90μm激光器泵浦Fe2+∶znse晶体,获得了中心波长4.45μm,平均功率67 mW的中红外激光... 详细信息

采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶znse晶体,测试晶体样品中铁离子浓度达1.27×1018cm-3。分析了Fe2+∶znse晶体光谱的光学吸收特性,在室温条件下,采用2.90μm激光器泵浦Fe2+∶znse晶体,获得了中心波长4.45μm,平均功率67 mW的中红外激光输出。

关键词： Fe2 + znse 晶体离子浓度光学吸收激光输出