CVD法生长ZnSe的工艺分析
Technical Analysis of CVD ZnSe Growth by Se Method作者机构：中非人工晶体研究院北京100018
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2004年第33卷第2期
页 面：235-237页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 0702[理学-物理学]
主 题：CVD法 ZnSe 温度 压力 透过率 化学气相沉积 光学吸收系数
摘 要：采用单质Se为原料(Zn Se H2 Ar体系)来生长CVDZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响。这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量。对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%。
维普期刊数据库
同方期刊数据库