检索结果-南通市图书馆

原位退火处理对zns/Si薄膜结晶性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2018年第12期49卷 12091-12095页

作者：赵彬豪麦合木提.麦麦提买买提热夏提.买买提王嘉鸥奎热西.伊布拉辛新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐830046 中国科学院高能物理研究所北京100049

采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列zns薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型zns薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶zns薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量... 详细信息

采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列zns薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型zns薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶zns薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量与退火工艺之间的关系。结果显示随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸由200℃的13.357nm增长到400℃的27.232nm,另外薄膜的平均粗糙度由2.05nm下降达到1.14nm。采用脉冲激光沉积法制备的zns薄膜在400℃退火后表现出极好的单晶择优取向生长以及良好的表面平整度,为研究单晶zns薄膜提供一种实验解决思路。

关键词：脉冲激光沉积闪锌矿 zns薄膜择优生长

退火温度对真空热蒸发法zns:In薄膜光电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

现代显示 2012年第12期 5-9页

作者：陈金伙李文剑程树英福州大学物理与信息工程学院福建福州350108

采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备zns薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对zns:In薄膜的光、电性能的影响。

关键词： zns薄膜 In掺杂真空热蒸发光电性能退火

硅太阳电池用MgF2/zns双层减反射薄膜的制备及表征

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2009年第3期38卷 547-551页

作者：孙秀菊李海玲励旭东任丙彦周春兰赵雷王文静中国科学院电工研究所北京100190 河北工业大学天津300130 北京市太阳能研究所北京100083

采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/zns双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研... 详细信息

采用真空热蒸发技术,制备出了性能优良的MgF2/zns双层减反射薄膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪对薄膜的形貌以及结晶形态进行分析,采用椭圆偏振仪测试薄膜的折射系数及厚度,利用反射谱对双层减反射薄膜的减反射性能进行了表征。研究表明:衬底温度为200℃时薄膜附着力、结晶态良好;蒸发速率影响薄膜的表面形态;MgF2/zns厚度为110 nm/35 nm时具有最佳减反射效果。

关键词： zns薄膜 MgF2薄膜减反射薄膜真空热蒸发

热氧化zns∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2017年第18期31卷 11-15页

作者：张小红杨卿张旭晨马研易筱银西安理工大学材料科学与工程学院西安710048 陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室西安710048

利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的zns(zns∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,... 详细信息

利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的zns(zns∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。

关键词： zns薄膜 ZnO 薄膜 Ga掺杂热氧化光致发光

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Fe掺杂对zns稀磁薄膜的磁特性影响

应用化工 2018年第11期47卷 2326-2328,2335页

作者：何军锋陕西理工大学物理与电信工程学院陕西汉中723001

制备了Fe掺杂Zn S稀磁薄膜(Fe掺杂量x=0. 000,0. 005,0. 010,0. 015),利用XRD、PL光谱以及磁性测试系统测量分析了Fe掺杂对Zn S薄膜的晶体结构、发光特性及磁特性的影响。结果表明,薄膜的饱和磁化强度随Fe掺杂量x增加而逐渐增大,Fe掺杂... 详细信息

制备了Fe掺杂Zn S稀磁薄膜(Fe掺杂量x=0. 000,0. 005,0. 010,0. 015),利用XRD、PL光谱以及磁性测试系统测量分析了Fe掺杂对Zn S薄膜的晶体结构、发光特性及磁特性的影响。结果表明,薄膜的饱和磁化强度随Fe掺杂量x增加而逐渐增大,Fe掺杂量x> 0. 005时,薄膜的结晶品质逐渐变差,缺陷数量随之增多,导致磁信号通过缺陷传导而逐渐增强,致使其饱和磁化强度增大。

关键词：稀磁半导体材料 zns薄膜 Fe掺杂缺陷磁特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

zns及其多层薄膜光电性能与缺陷研究

ZnS及其多层薄膜光电性能与缺陷研究

作者：党新志武汉科技大学

学位级别：硕士

本文采用磁控溅射法结合退火制备了zns、Cu/zns及zns/Cu/zns薄膜,利用XRD、SEM、EDS、XPS、紫外-可见光分光光度计、霍尔效应测试及慢正电子束多普勒展宽能谱(DBS)对薄膜进行了表征。研究了硫压与膜厚对薄膜样品的结构、微观缺陷以及光... 详细信息

本文采用磁控溅射法结合退火制备了zns、Cu/zns及zns/Cu/zns薄膜,利用XRD、SEM、EDS、XPS、紫外-可见光分光光度计、霍尔效应测试及慢正电子束多普勒展宽能谱(DBS)对薄膜进行了表征。研究了硫压与膜厚对薄膜样品的结构、微观缺陷以及光电性能的影响。zns薄膜研究表明:溅射沉积zns薄膜为立方相结构。硫化过程中生长机理为:薄膜表面的吸附硫内扩散占据zns晶粒中的硫空位,同时在硫蒸气气氛中会发生晶粒融合再生长,硫压增加对此生长有促进作用。DBS直接证实了硫蒸气退火可以降低zns薄膜空位缺陷浓度,同时改善薄膜缺硫。但是硫的过量可能会导致薄膜内部出现硫间隙原子等其它缺陷,甚至少量硫单质沉积在薄膜表面,影响薄膜性能。对Cu/zns薄膜研究发现:随着Cu膜厚增加,双层膜的吸收边红移,带隙减小。同时在Cu膜厚较薄时,退火后双层膜开孔率增加。正电子入射深度经验公式与SEM结果对比发现,薄膜厚度实际结果与计算符合的很好,通过计算,我们得到了外层和内层薄膜的厚度信息。DBS结果还证明:铜膜厚增加能有效抑制薄膜在退火过程中的S元素损失。Cu/zns薄膜分层情况较为明显,内层薄膜与外层薄膜缺陷类型不同。zns/Cu/zns薄膜研究结果显示:多层薄膜随着金属层厚度增加,导电率增加,且在一定范围内其在可见光区域具有较好透光率。DBS测试结果表明随着Cu量增加,薄膜内部缺陷浓度增加,原因可能是随着Cu量的增加,zns薄膜中少量S原子与Cu发生结合,导致薄膜内部S空位增多,同时部分Cu原子成为间隙原子,导致薄膜缺陷浓度增加。薄膜的缺陷浓度随着入射深度的增加呈现先降后增的趋势,Cu膜相较于zns膜更为致密。S-W曲线证明薄膜内部缺陷类型随着Cu厚度增加而变得复杂。

关键词： zns薄膜 zns多层薄膜缺陷退火慢正电子束多普勒展宽能谱

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

zns纳米薄膜的制备及其光催化性能研究

ZnS纳米薄膜的制备及其光催化性能研究

作者：陈圆湖南大学

学位级别：硕士

半导体光催化技术在降解有毒有机污染物方面有着广泛的应用前景。在诸多半导体材料中，zns由于具有化学性质比较稳定、无毒、抗光腐蚀、而且成本低等优点而备受关注。纯的zns带隙较宽，只能吸收太阳光中的紫外部分，导致太阳光的利用效... 详细信息

半导体光催化技术在降解有毒有机污染物方面有着广泛的应用前景。在诸多半导体材料中，zns由于具有化学性质比较稳定、无毒、抗光腐蚀、而且成本低等优点而备受关注。纯的zns带隙较宽，只能吸收太阳光中的紫外部分，导致太阳光的利用效率和光催化活性较低。因此，提高zns在可见光范围的光催化量子效率是目前半导体光催化技术研究的热点之一。本文以硫酸锌为锌源，硫代硫酸铵为硫源，柠檬酸三钠和酒石酸混合作为络合剂，采用化学沉积法在导电玻璃衬底上合成了球状zns及其La掺杂zns纳米薄膜。通过退火处理、掺杂稀土元素La对zns纳米薄膜进行改性。利用电化学方法、扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、紫外可见吸光光度计、荧光分光光度计等研究了zns纳米薄膜的形成过程、形貌、成分、结构及其光学性能。 1、采用化学沉积法制备了表面均匀致密，颗粒直径约为3nm-10nm的zns和La掺杂纳米薄膜。所获得的zns及其掺杂的纳米薄膜均为闪锌矿结构。La离子的加入，减少了复合离子的迁移率，使成核速率和成膜速率降低，薄膜颗粒尺寸增大。 2、随着退火温度和升温速率的提高，zns纳米颗粒尺寸变大，zns薄膜发射光谱强度明显下降，紫外-可见吸收光谱显著红移，对甲基橙在可见光辐照下的光降解效率提高。 3、La掺杂zns薄膜晶粒增大，XRD衍射角向小角度稍微偏移。随着La掺杂摩尔比的增加，发射峰强度降低，zns薄膜的吸收光谱红移，La/Zn摩尔比在0.3时红移达到最大。La掺杂可提高zns薄膜在可见光和紫外光照射下对甲基橙的降解效率，特别是显著提高zns在可见光下的光催化活性。本研究为半导体光催化剂利用太阳光高效地光催化降解有机污染物提供了一种简单的方法。

关键词： zns薄膜化学沉积法退火温度升温速率 La掺杂光催化

直接溶液法制备薄膜太阳能电池吸收层Cu2znsnS4和缓冲层zns及其性能研究

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

直接溶液法制备薄膜太阳能电池吸收层Cu2ZnSnS4和缓冲层ZnS及其性...

作者：宋佳凝东北大学

学位级别：硕士

随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近几年最值得关注的莫过于薄膜太阳能电池,在恶劣条件下仍有较好的稳定性和可观的光电转换效率。虽然铜铟镓... 详细信息

随着科技的进步和社会的发展,人类对于能源的需求越来越大,传统化石能源的弊端与日俱增,极大地推动了人们作新能源领域的探索。近几年最值得关注的莫过于薄膜太阳能电池,在恶劣条件下仍有较好的稳定性和可观的光电转换效率。虽然铜铟镓硒薄膜太阳能电池取得了不小的发展,但是由于其材料本身的因素,如铟和镓是稀有元素,且成本昂贵等问题限制了它的发展。新型铜锌锡硫系薄膜太阳能电池的发展引起学者们的广泛关注,其组成元素在地球上的含量丰富、无毒、环境友好、制备价格低廉。铜锌锡硫CuznsnS与CuInxGa(1-x))Se(CIGS)具有相同的晶格结构,可以完美地保留CIGS的优异性能。铜锌锡硫系太阳能电池自从被提出来之后,其相关理论研究发展较缓,直至近些年才有些突破性的进展。本文采用绿色、无污染,成本低廉的直接溶液法制备薄膜太阳能电池吸收层材料CuznsnS和缓冲层材料zns,探究了前驱体墨水相关性能并结合热处理工艺和硫化过程的影响,制备出性能优异的吸收层CuznsnS薄膜和缓冲层zns薄膜。具体的内容和结论如下:(1)实验中先配制Cu-TU、Zn-TU、Sn-TU二元无颗粒墨水,将得到的三种二元前驱体墨水,充分混合后得到无颗粒CuznsnS墨水。对制备的墨水进行TG-DSC-MS分析,探究其热分解过程。选择配制墨水最优的溶剂和络合剂,筛选出最优墨水配比为2:1:1:8,铜胺比为1:4。进一步改变墨水的固含量,改变墨水的溶质加入量,配制不同浓度的墨水,墨水从低浓度0.3 M高浓度1 M,固含量提升至20 wt%。(2)详细探究墨水的成膜预处理工艺以及后续的硫化过程,预处理条件为250℃保温30 min,硫化条件为560℃保温10 min时制备的CuznsnS薄膜最佳,XRD和Raman图谱显示为单一纯相CuznsnS,形貌致密、均匀,山1.5 μm的柱状大尺寸晶粒构成。经过霍尔测试,载流子浓度为1 017～1 018cm-3,是p型半导体,满足优质太阳能电池吸收层要求,从而证实了直接溶液法制备吸收层CuznsnS薄膜的可行性。(3)对于CZTS太阳能电池的另一重要影响因素即是其缓冲层,作为缓冲层薄膜其应具有致密、均匀、平整、低电阻率、低载流子复合率等特点,且要在吸收层CZTS和窗口层之间起到良好的适配作用。选择合适的溶剂和络合剂配制不同浓度的前驱体墨水,进行TG-DSC-MS分析,探究从室温至500℃时的热分解信息。物相分析表明,合成了结晶性好,且存在(002)晶面择优取向的zns薄膜。前驱体溶液浓度为1-2 M时,热处理工艺为200℃、250℃保温时间低于30 min,制备的薄膜均致密、平整,zns薄膜估算其禁带宽度为3.3 eV。因此,直接溶液法制备的zns薄膜可以满足缓冲层的性能要求。

关键词： CZTS薄膜 zns薄膜直接溶液法墨水

zns荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnS荧光薄膜的制备及其表征以及掺杂对其性能的影响

作者：苏海桥电子科技大学

学位级别：硕士

硫化锌（zns）是一种重要的宽禁带（室温下Eg约为3.7eV）直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得zns薄膜能广泛应用于各类光电器件,有必要改善（或者改变... 详细信息

硫化锌（zns）是一种重要的宽禁带（室温下Eg约为3.7eV）直接带隙半导体材料。在紫外光探测器、短波长发光二极管、激光器二极管、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。为了使得zns薄膜能广泛应用于各类光电器件,有必要改善（或者改变）zns薄膜的物理、化学等性能,在zns薄膜中掺入杂质元素和热退火处理就是其中两种重要的方法,尤其是zns薄膜的p型掺杂显得尤为重要。离子注入技术是当前半导体材料一种重要的掺杂技术。本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理对zns薄膜改性,采用X射线衍射（XRD）谱、透射光谱、光致发光谱（PL）和四探针等,分别研究了Ti离子和N离子注入zns薄膜和注入后样品退火的结构、光学和电学性能,主要得到以下结果:1.利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备zns薄膜,室温下剂量为1×1017ions/cm2,能量80KeV的Ti离子注入zns薄膜中,离子注入后,样品分别在（500-700）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果显示:离子注入后,样品的XRD衍射峰强度减小,样品在可见光区的光学透过率明显下降,近带边紫外发射峰（NBE）和深能级缺陷发射峰（DLE）都消失不见;注入后热退火处理,衍射峰在00oC退火后有一定的恢复;当在（500-700）℃退火温度时,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;NBE峰和DLE峰都随退火温度的提高而增强。2.利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备zns薄膜,室温下剂量为1×1017 ions/cm2,能量80KeV的N离子注入zns薄膜中,离子注入后,样品分别在（500-700）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果显示:离子注入后,样品的XRD衍射峰消失,样品在可见光区的光学透过率有所提高;在500℃退火后,薄膜结晶性能有所好转,衍射峰重新出现;500℃退火的NBE和DLE略有降低,600℃后NBE和DLE随着退火温度的升高而增强。3.利用真空蒸发法在普通玻璃衬底上制备zns薄膜,室温下剂量为1×1017 ions/cm2,能量80KeV的N离子注入zns薄膜中,离子注入后,样品分别在（400-500）℃的氩气气氛中进行退火处理1h。结果发现:离子注入后,衍射峰消失;样品在可见光区的光学透过率有所增强;光学带宽发生蓝移;NBE峰和DLE峰都增强;500℃退火后,衍射峰出现;400℃退火后,样品在可见光区的光学透过率增加,500℃退火后,样品在可见光区的光学透过率降低, 400℃退火的NBE和DLE强度提高, 500℃退火的NBE和DLE都有所降低。

关键词：真空蒸发法 zns薄膜离子注入热退火处理光学性能