热氧化ZnS∶Ga制备ZnO∶Ga薄膜及其光致发光性能

作     者：张小红 杨卿 张旭晨 马研 易筱银 ZHANG Xiaohong YANG Qing ZHANG Xuchen MA Yan YI Xiaoyin

作者机构：西安理工大学材料科学与工程学院西安710048 陕西省电工材料与熔渗技术重点实验室西安710048 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2017年第31卷第18期

页      面：11-15页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(51202191) 陕西省自然科学基础研究计划(2015JM5179) 陕西省教育厅重点实验室科学研究计划项目(15JS072) 

主　　题：ZnS薄膜 ZnO 薄膜 Ga掺杂 热氧化 光致发光 

摘      要：利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明:Ga的掺入改变了ZnO薄膜的微观结构、化学计量比、氧空位的相对含量,进而影响了薄膜的光致发光性能。随着Ga掺杂量增加,ZnO薄膜的致密度提高,颗粒尺寸减小;同时改善了ZnO的化学计量比,氧空位相对含量随之减少;ZnO薄膜的紫外光与可见光强度比增大。