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Synthesis of gaN nanorods on Si substrates with assistance of the vola-tilization of zno middle layers

Rare Metals 2005年第2期24卷 110-114页

作者： ZHUANGHuizhao gaoHaiyong XUEChengshan WANGShuyun DoNGZhihua HEJianting CollegeofPhysicsandElectronics ShandongNormalUniversityJinan250014China

gaN nanorods have successfully been synthesized on Si(111) substrates via ammoniating zno/ga2o3 films at 950 degrees C. ga2o3 thin films and zno middle layers were deposited in turn on Si(111) substrates by r.f. magnetron sputtering system. zno volatilized at 950 degrees C in the ammonia ambience and ga2o3 reacted to NH3 to fabricate gaN nanorods in the later ammoniating process. The volatilization of zno layers played an important role in the fabrication. The structure and composition of the gaN nanorods were studied by X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectrophotometer (FTIR). The morphology of gaN nanorods was investigated using scanning electron microscopy (SEM) and transmission electronic microscope (TEM). The analyses of measured results revealed that gaN nanorods with hexagonal wurtzite structure were prepared by this method.

关键词： semiconductor materials gaN nanorods r.f. magnetron sputtering zno/ga2o3 films

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