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Simulation of SiC radiation detector degradation
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Chinese Physics B 2019年 第1期28卷 300-305页
作者： Hai-Li Huang Xiao-Yan Tang Hui Guo Yi-Men zhang Yu-Tian Wang Yu-Ming zhang School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices Xidian University
Simulation on the degradation of 4H-SiC Schottky detector was carried out using ISE TCAD, and the limit of the driftdiffusion analytical model was discussed. Two independent defect levels, rather than a pair of specif... 详细信息
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