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Ultraviolet/ozone and oxygen plasma treatments for improving the contact of carbon nanotube thin film transistors

Science Bulletin 2018年第12期63卷 802-806页

作者： Qi Huang Jiye Xia Jie Zhao Guodong Dong Fang Liu Hu Meng Xuelei Liang Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics Peking UniversityBeijing 100871China BOE Technology Group Co. Ltd.Beijing 100176China

Carbon nanotube thin film transistor （CNT-TFF） is an emerging technology for future macroelectronics, such as chemical and biological sensors, optical detectors, and the backplane driving circuits for flat panel displays. The mostly reported fabrication method of CNT-TFT is a lift-off based photolithography process. In such fabrication process, photoresist （PR） residue contaminates the interface of tube-metal contact and deteriorates the device performance. In this paper, ultraviolet ozone （uvo） and oxygen plasma treat- ments were employed to remove the PR contamination. Through our well-designed experiments, the uvo treatment is confirmed an effective way of cleaning contamination at the tube-metal interface, while oxygen plasma treatment is too reactive and hard to control, which is not appropriate for CNT-TFTs. It is determined that 2-6 rain uvo treatment is the preferred window, and the best optimized treatment time is 4 rain, which leads to 15% enhancement of device performance.

关键词： Carbon nanotube thin film transistor contact uvo oxygen plasma

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