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检索条件"主题词=Te-doped GaSb annealing Hall effect measurement photoluminescence spectroscopy IR optical transmission"
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Electrical and optical property of annealed te-doped gasb
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Journal of Semiconductors 2017年 第4期38卷 18-22页
作者： Jie Su Tong Liu Jingming Liu Jun Yang Guiying Shen Yongbiao Bai Zhiyuan Dong Fangfang Wang Youwen Zhao Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materialsand DevicesInstitute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China College of Materials Science and Opto-Electronic technology University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China Inner Mongolia Aerospace Honggang Machinery Corporation Limited Hohhot 010020China Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors Shanghai Institute of technical Physics Chinese Academy of SciencesShanghai 200083China
gasb is the most suitable substrate in the epitaxial growth of mixed semiconductors of gasb *** this work,te-doped gasb bulk crystals with different doping concentration have been annealed at 550℃ for100 h in ambient... 详细信息
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