检索结果-南通市图书馆

低量tm掺杂TiO_2纳米粉体的光致发光特性及光活性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国稀土学报 2010年第5期28卷 553-559页

作者：卢智宇姜洪泉李井申王城英闫盼盼哈尔滨师范大学化学化工学院黑龙江哈尔滨150025

利用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂量及不同温度焙烧的tm掺杂TiO2纳米粉体。采用X射线衍射(XRD),紫外-可见漫反射谱(DRS)和光致发光光谱(PL)技术研究了tm掺杂量和焙烧温度对其相结构、晶粒尺寸、光吸收及光致发光性能的影响;并以亚甲基蓝(... 详细信息

利用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂量及不同温度焙烧的tm掺杂TiO2纳米粉体。采用X射线衍射(XRD),紫外-可见漫反射谱(DRS)和光致发光光谱(PL)技术研究了tm掺杂量和焙烧温度对其相结构、晶粒尺寸、光吸收及光致发光性能的影响;并以亚甲基蓝(MB)溶液的光催化降解评价其光活性。结果表明:低量tm掺杂强烈抑制TiO2由锐钛矿相向金红石相转变,减小晶粒尺寸;然而,tm掺杂量增加,抑制相变作用减弱。tm掺杂导致样品的紫外吸收能力略有降低,光吸收带边蓝移。tm掺杂导致样品的PL谱强度降低(0.05%0.05%>0.1%>0.025%>0%),但二者顺序并不完全一致。低量tm掺杂能有效提高纳米TiO2的光活性;当tm掺杂量为0.075%(质量分数)、焙烧温度为550℃时,制得样品呈双相结构,锐钛矿相占91%,晶粒尺寸为24.48 nm,其光活性最佳。光活性提高的主要根源是tm掺杂能有效促进纳米TiO2表面光生e-/h+分离,提高量子化效率。

关键词：纳米TiO2 tm掺杂光致发光光活性

tm、N掺杂TiO2纳米复合光催化剂的制备及性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Tm、N掺杂TiO2纳米复合光催化剂的制备及性能研究

作者：卢智宇哈尔滨师范大学

学位级别：硕士

本文以提高纳米TiO的太阳能利用率、抑制光生电子和空穴复合、提高量子化效率为目的,开发出高性能的TiO纳米复合光催化剂,为利用光催化技术治理环境污染提供了新型光催化材料。利用溶胶-凝胶法制备tm掺杂TiO纳米复合光催化剂,采用XRD、... 详细信息

本文以提高纳米TiO的太阳能利用率、抑制光生电子和空穴复合、提高量子化效率为目的,开发出高性能的TiO纳米复合光催化剂,为利用光催化技术治理环境污染提供了新型光催化材料。利用溶胶-凝胶法制备tm掺杂TiO纳米复合光催化剂,采用XRD、DRS和PL技术研究了tm掺杂量和焙烧温度对样品的相结构、晶粒尺寸、光吸收及光致发光性能的影响;以亚甲基蓝(MB)溶液的光催化降解评价其紫外光活性。结果表明:低量tm掺杂强烈抑制TiO由锐钛矿相向金红石相转变,但随tm掺杂量增加,抑制相变作用减弱。tm掺杂导致样品的紫外吸收能力略有降低,光吸收带边蓝移。tm掺杂样品的PL谱强度降低与其紫外光活性升高顺序并不完全一致。当tm掺杂量为0.075wt%,焙烧温度为550℃时,制得的tm掺杂TiO纳米复合光催化剂呈双相结构,锐钛矿相占91%,晶粒尺寸为24.48 nm,其紫外光活性最佳。紫外光活性提高的主要根源是tm掺杂能有效促进TiO纳米光催化剂表面光生e-/h+的分离,提高量子化效率。在此基础上,采用溶胶-水热法系统开展tm、N单掺杂及共掺杂TiO纳米复合光催化剂的制备工艺研究,利用XRD、BET、XPS、FT-IR、DRS及PL技术对其进行了结构性能表征,探讨了tm和N掺杂对TiO光活性的影响机制。结果表明:当tm掺杂量为0.075%,焙烧温度为550℃时,制得的tm掺杂样品紫外光活性为63.19%,比光活性为5.92×10 mol·g·h,是溶胶-凝胶法制备的tm掺杂样品(比光活性为8.64×10 mol·g·h)的6.85倍。当氨水添加量为2 mL,焙烧温度为440℃时,制得的N掺杂样品可见光活性为62.63%,比光活性为5.87×10 mol·g·h,是溶胶-凝胶法制备的N掺杂样品(比光活性为6.59×10 mol·g·h)的8.91倍。显然,采用溶胶-水热法制得的样品微观织构特性好、结晶度高、粒径小,光活性高,说明溶胶-水热法明显优于溶胶-凝胶法。tm掺杂导致样品光生e-/h+分离效率提高,有效抑制相变,提高晶化程度,均有利于其紫外光活性的提高。N掺杂样品呈现优异的可见光活性。N掺杂导致样品吸收带边红移,拓宽光响应范围至可见光区,产生大量表面态及缺陷、增加表面羟基含量,有利于可见光活性的提高。tm、N共掺杂样品的可见光活性介于TiO样品及N掺杂样品的可见光活性之间,紫外光活性低于TiO样品,表明tm和N共掺杂并未产生协同作用。

关键词：纳米TiO2 tm掺杂 N掺杂紫外光活性可见光活性

稀土离子tm^(3+)掺杂Bi_2WO_6的可见光催化性能

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

无机化学学报 2018年第2期34卷 359-366页

作者：赵炜迪何金云王燕舞龙飞彭代江邹正光桂林理工大学材料科学与工程学院桂林541004 桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室桂林541004 桂林理工大学环境科学与工程学院桂林541004

以Na_2WO_4·2H_2O和Bi(NO_3)_3·5H_2O为主要原料,采用水热法合成了稀土离子tm^(3+)掺杂的Bi_2WO_6光催化剂。采用XRD、SEM、TEM、Raman、PL、DRS研究了tm^(3+)掺杂Bi_2WO_6的物相,微观形貌和可见光催化性能。结果表明,tm^(3+)掺杂有效提高了Bi_2WO_6的光催化性能,当掺杂量为6%时,样品的光催化性能最好,可见光照射30 min后,对罗丹明B的降解效率达到91.27%,而可见光照射5 h后,对焦糖色素的降解效率达45.25%。与未掺杂Bi_2WO_6相比,分别提高了27.78%和35.22%。

关键词：钨酸铋水热合成 tm掺杂可见光催化

非线性偏振旋转锁模掺铥光纤激光器的多孤子输出理论研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

科学技术创新 2024年第13期 221-224页

作者：曾圆果王丰李旭黑龙江科技大学理学院黑龙江哈尔滨

本文研究探讨了在非线性偏振旋转锁模掺铥光纤激光器中,孤子分子和类噪声脉冲的演化特性。理论研究表明,当激光器在负色散条件下工作且腔内参数得到恰当配置时,能够稳定产生锁模孤子脉冲。通过细调腔内的偏振状态并适度增加泵浦功率,可... 详细信息

本文研究探讨了在非线性偏振旋转锁模掺铥光纤激光器中,孤子分子和类噪声脉冲的演化特性。理论研究表明,当激光器在负色散条件下工作且腔内参数得到恰当配置时,能够稳定产生锁模孤子脉冲。通过细调腔内的偏振状态并适度增加泵浦功率,可以实现孤子分子的输出。继续调整腔内条件,还能够获得类噪声脉冲。泵浦功率和偏振控制器的调整,通过改变腔内增益,成为产生多种多孤子模式的关键因素。这一发现为深入理解负色散区域内2μm波段锁模掺铥光纤激光器产生多孤子动态特性提供了有价值的参考。

关键词：光纤激光器 tm掺杂被动锁模多孤子脉冲

Zn_(0．9)O_(1-x)Co_(0．1)体系磁性和电子结构研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2008年第8期39卷 1289-1291页

作者：刘鹏岑嘉宝王亮江建军华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074

在第一性原理框架理论下应用KKR-CPA- LDA方法计算了Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)体系(x=0～10%)下的电子结构、磁矩分布和3种不同的状态下的能量。结果表明:(1)在不同的氧空位缺陷的条件下,材料都显示半金属特性;(2)随着氧空位缺陷的增加,... 详细信息

在第一性原理框架理论下应用KKR-CPA- LDA方法计算了Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)体系(x=0～10%)下的电子结构、磁矩分布和3种不同的状态下的能量。结果表明:(1)在不同的氧空位缺陷的条件下,材料都显示半金属特性;(2)随着氧空位缺陷的增加,掺杂体系的能量逐渐升高,稳定性逐渐变弱,说明了基态条件下,Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)掺杂体系中的氧空位缺陷是不容易形成的,这个和文献报道的是一致的;(3)根据计算结果可以推断,在Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)体系中,磁性原子的磁矩随着氧空位缺陷的增加,体系的饱和磁化强度降低,符合双交换理论。

关键词： ZnO薄膜 tm掺杂第一性原理 KKR-CPA-LDA

过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报 2010年第S2期24卷 351-355+359页

作者：王古平台州学院物理与电子工程学院

过渡金属(tm)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性tm原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性tm原子团聚及第二相的排除两方面综述了tm掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了... 详细信息

过渡金属(tm)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性tm原子团簇或第二相的贡献存在争议。从磁性测量和磁性tm原子团聚及第二相的排除两方面综述了tm掺杂ZnODMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了元素特征分析技术在过渡金属掺杂ZnO中的应用。

关键词： ZnO 稀磁半导体本征铁磁性分析技术 tm掺杂

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索

材料导报 2007年第12期21卷 110-114页

作者：居健吴雪梅诸葛兰剑苏州大学物理系苏州大学分析测试中心

对掺杂过渡金属(tm)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择... 详细信息

对掺杂过渡金属(tm)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要,低生长温度、高氧偏压和较少的tm离子掺杂浓度能促使tm掺杂物的均一分布,并能削弱反铁磁性(AFM)交换进而增进铁磁性(FM)交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的,载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。

关键词：磁性起源稀磁半导体交换作用 tm掺杂铁磁性

过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体分析技术的研究现状

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

材料导报（纳米与新材料专辑） 2010年第2期24卷 351-355,359页

作者：王古平台州学院物理与电子工程学院台州318000

关键词： ZnO 稀磁半导体本征铁磁性分析技术 tm掺杂