Zn_(0．9)O_(1-x)Co_(0．1)体系磁性和电子结构研究

作     者：刘鹏 岑嘉宝 王亮 江建军 LIU Peng;CEN Jia-bao;WANG Liang;JIANG Jian-jun

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2008年第39卷第8期

页      面：1289-1291页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 070201[理学-理论物理] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(50371029) 新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET20420702) 湖北省杰出青年基金计划资助项目(2005ABB002) 国家大学生创新基金(0111185006) 

主　　题：ZnO薄膜 TM掺杂 第一性原理 KKR-CPA-LDA 

摘      要：在第一性原理框架理论下应用KKR-CPA- LDA方法计算了Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)体系(x=0～10%)下的电子结构、磁矩分布和3种不同的状态下的能量。结果表明:(1)在不同的氧空位缺陷的条件下,材料都显示半金属特性;(2)随着氧空位缺陷的增加,掺杂体系的能量逐渐升高,稳定性逐渐变弱,说明了基态条件下,Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)掺杂体系中的氧空位缺陷是不容易形成的,这个和文献报道的是一致的;(3)根据计算结果可以推断,在Zn_(0.9)O_(1-x)Co_(0.1)体系中,磁性原子的磁矩随着氧空位缺陷的增加,体系的饱和磁化强度降低,符合双交换理论。