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thelattice strain caused by ion implantation

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Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 1999年第4期12卷 495-499页

作者： D.L. Ma and X.L. Mu Departmentof Physics,Liaoning University,Shenyang 110036 ,China

The propertiesof As+ implantedsilicon with anenergy160kev, differentdosesand anneal ing temperatures (500 700℃) were studied by means of x ray double crystaldiffraction( DCD) and ellipometricspectra ( ES) . Therockingcurvesof DCDweresimulated by multi layer modelof Dynamicaltheory,toobtainstrain distributionsasafunctionof depths. The1×1016 cm 2 annealed at600℃wasfoundthataepitaxiallayer wasformed . The ESresult provedtheseconclusions.

关键词： thelattice strain caused by ion implantation

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