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Current oscillations and low-frequency noises in GaAs MESFET channels with sidegating bias

Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics) 2011年第7期12卷 597-603页

作者： Yong DING ,Xiao-hua LUO ,Xiao-lang YAN (Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China) Institute of VLSI Design Zhejiang University Hangzhou China

Low-frequency noises (LFN) and noise-like oscillations (NLO) in GaAs metal semiconductor field effect transistor (MESFET) channel current were investigated under sidegating bias *** was found that the fluctuations of the channel current were directly dependent upon the sidegating *** the sidegating bias decreased,the amplitudes of the oscillations would increase ***,the LFN and NLO would attenuate sharply when the sidegating bias increased to more than a certain *** mechanisms are presented to demonstrate that the effective substrate resistivity or the channel-substrate junction modulated by sidegating bias and deep level traps would take responsibilities for the LFN and NLO.

关键词： Low-frequency noises (LFN) Effective substrate resistivity Channel-substrate junction sidegating bias

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