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sio2薄膜红外波段介电常数谱的高斯振子模型研究
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物理学报 2017年 第5期66卷 161-167页
作者: 刘华松 杨霄 王利栓 姜承慧 刘丹丹 季一勤 张锋 陈德应 中国航天科工飞航技术研究院 天津津航技术物理研究所天津市薄膜光学重点实验室天津300308 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 可调谐激光技术国防科技重点实验室哈尔滨150080
在无定形sio_2非晶材料红外波段反常色散区介电常数研究中,复合高斯振乎模型是介电常数重要的色散模型之一,复合振子中振子的数量和物理意义是重要的研究内容.基于化学计量学中的因子分析技术,提出将sio_2薄膜特征振动峰的数量等效为化... 详细信息
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不同基底上sio2薄膜的显微结构和力学性能
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无机材料学报 2013年 第6期28卷 653-658页
作者: 王河 贺洪波 张伟丽 中国科学院上海光学精密机械研究所 中国科学院强激光材料重点实验室上海201800 中国科学院大学 北京100039
用电子束蒸发技术在K9玻璃及两种不同取向的钇铝石榴石(Y3Al5O12,简称YAG)晶体上沉积了sio2薄膜,采用X射线衍射仪和纳米划痕仪对薄膜显微结构和力学性能进行了研究。实验结果表明:薄膜在K9、YAG(100)和YAG(111)基底上分别呈现非晶态和... 详细信息
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疏水性对溶胶-凝胶sio2薄膜抗真空污染及抗激光损伤能力的影响
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无机化学学报 2013年 第7期29卷 1339-1344页
作者: 刘源 沈军 李晓光 周斌 张志华 同济大学物理科学与工程学院 上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室上海200092 上海理工大学理学院 上海2000931
以正硅酸乙酯作为前驱体,利用碱催化方式制备了sio2溶胶,通过在溶胶中添加含疏水基团(-CH3)的六甲基二硅氮烷(HMDS)对溶胶进行改性,使用添加不同物质的量比HMDS改性后的溶胶用提拉法在K9基片上镀膜,获得了具有疏水性能的sio2薄膜。采用... 详细信息
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1.064μm脉冲激光作用下sio2薄膜纹波损伤的模拟
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强激光与粒子束 2008年 第3期20卷 509-512页
作者: 袁晓东 李绪平 郑万国 祖小涛 向霞 蒋晓东 尹烨 徐世珍 郭袁俊 田东斌 王毕艺 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川绵阳621900 电子科技大学物理电子学院 成都610054
用1.064μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层sio2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行... 详细信息
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sio2薄膜涂覆层数对304不锈钢抗高温氧化性能的影响
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河北科技大学学报 2021年 第1期42卷 75-81页
作者: 马静 王瑞阳 温宁 河北科技大学材料科学与工程学院 河北石家庄050018 河北省材料近净成形技术重点实验室 河北石家庄050018 河北省高温合金熔模铸造技术创新中心 河北黄骅061100 河北省球磨钢球工程技术研究中心 河北邯郸056000
为提高304不锈钢的抗高温氧化性能,以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用溶胶-凝胶法,在不锈钢表面制备了sio2薄膜,通过氧化动力学,XRD,SEM和EDS分析,研究了涂覆层数对不锈钢900℃抗高温氧化性能的影响。结果表明,sio2薄膜与不锈钢基体的附着... 详细信息
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sio2薄膜热应力模拟计算
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华南师范大学学报(自然科学版) 2009年 第1期41卷 52-55页
作者: 吴靓臻 唐吉玉 马远新 孔蕴婷 文于华 陈俊芳 华南师范大学物电学院 广东广州510631 新疆医科大学物理教研室 新疆乌鲁木齐830054
薄膜内应力严重影响薄膜在实际中的应用.该文采用有限元模型对S iO2薄膜热应力进行模拟计算,验证了模型的准确性.计算了薄膜热应力的大小和分布,分析了不同镀膜温度、不同膜厚和不同基底厚度生长环境下热应力的大小,得到了相应的变化趋... 详细信息
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sio2薄膜改善45#钢抗氧化性能的研究
SiO2薄膜改善45#钢抗氧化性能的研究
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作者: 王欣欣 北京交通大学
学位级别:硕士
本文针对sio耐酸、耐碱、耐有机溶剂,以及耐高温、化学稳定性好、机械强度大且易于制成致密化薄膜等优点,研究了用溶胶-凝胶法在45钢表面制备出致密完整的sio薄膜以改善其抗氧化性,从而延长其应用。 本文以正硅酸乙酯为前驱物、无水乙... 详细信息
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退火对sol-gel法生长的sio2薄膜特性的影响
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功能材料 2004年 第z1期35卷 3171-3174页
作者: 郭嘉 龚明 许小亮 张慰萍 郭海 王燎原 陈滢滢 刘佩尧 刘洪图 中国科学技术大学 物理系安徽合肥230026 中国科学技术大学 化学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026中国科学技术大学物理系安徽合肥230026
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的sio2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究... 详细信息
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Ar/SiCl4大气压等离子体射流沉积sio2薄膜
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西北师范大学学报(自然科学版) 2016年 第2期52卷 38-42页
作者: 袁强华 常小伟 李娇娇 殷桂琴 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室甘肃兰州730070
以氩气为携带气体,SiCl4为源材料,使用双频(50kHz/33 MHz)组合功率源大气压等离子体射流(APPJ)装置,以空气中的氧气作为氧化物质沉积sio2薄膜.用发射光谱检测等离子体组成物种,并研究了随源材料(SiCl4)含量的不同,体系内各主要物种的变... 详细信息
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硅基深宽比结构与sio2薄膜的干法刻蚀方法研究
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仪表技术与传感器 2015年 第11期 1-3,14页
作者: 颜改革 韩敬宁 殷志富 邹赫麟 大连理工大学机械工程学院 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室辽宁大连116023
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部sio_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4... 详细信息
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