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The property of si/sige/si heterostructure during thermal budget characterized by HRXRD

Nuclear Science and Techniques 2003年第4期14卷 238-241页

作者： CHENChang-Chun LIUZhi-Hong HUANGWen-Tao DOUWei-Zhi ZHANGWei TsiENPei-Hsin ZHUDe-Zhang InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084 ShanghaiInstituteofAppliedPhysics theChineseAcademyofSciencesShanghai201800

si/sige/si heterostructures grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) werecharacterized by Rutherford backscattering/Channeling (RBS/C) together with high resolution X ray diffraction(HRXRD). High quality sige base layer was obtained. The si/sige/si heterostructures were subject to conventionalfurnace annealing and rapid thermal annealing with temperature between 750 ℃ and 910 ℃. Both strain and its re-laxation degree in sige layer are calculated by HRXRD combined with elastic theory, which are never reported inother literatures. The rapid thermal annealing at elevated temperature between 880 ℃ and 910 ℃ for very short timehad almost no influence on the strain in si0.84Ge0. 16 epilayer. However, high temperature (900℃) furnace annealingfor 1h prompted the strain in si0.84Ge0.16 layer to relax.

关键词： si/sige/si异质结构热平衡 HRXRD 超高真空化学气相沉积 UHVCVD X射线衍射

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