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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 si/n
  • 1 篇 schottky
  • 1 篇 pecvd
  • 1 篇 氮化硅膜
  • 1 篇 lorentz-lorenz
  • 1 篇 heterojunction
  • 1 篇 mpcvd
  • 1 篇 氮化硅薄膜

机构

  • 1 篇 school of scienc...
  • 1 篇 department of el...
  • 1 篇 重庆光电技术研究...

作者

  • 1 篇 chen zhi-ming
  • 1 篇 gao zhan-jun
  • 1 篇 li lian-bi
  • 1 篇 ren zhan-qiang
  • 1 篇 程开富

语言

  • 1 篇 英文
  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=Si/N"
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non-UV Photoelectric Properties of the ni/n-si/n+-siC Isotype Heterostructure Schottky Barrier Photodiode
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Chinese Physics Letters 2013年 第9期30卷 149-152页
作者： LI Lian-Bi CHEn Zhi-Ming REn Zhan-Qiang GAO Zhan-Jun Department of Electronic Engineering Xi’an University of TechnologyXi’an 710048 School of Science Xi’an Polytechnic UniversityXi’an 710048
The energy-band structure and non-ultraviolet photoelectric properties of a ni/n-si/n^(+)-siC isotype heterostruc-ture Schottky photodiode are simulated by using *** are energy offsets in the conduction and valance ba... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
利用Lorentz-Lorenz关系监测PECVD和MPCVD氮化硅膜的si/n比值
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半导体光电 1987年 第3期 61-67页
作者： 程开富 重庆光电技术研究所
本文主要介绍利用电子极化的Lorentz(劳伦茨)-Lorenz(劳伦兹)关系监测和研究等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)和微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)氮化硅薄膜的si/n比值,以及如何应用该关系进行工艺实验和工艺监测。
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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