利用Lorentz-Lorenz关系监测PECVD和MPCVD氮化硅膜的Si/N比值
作 者：程开富
作者机构：重庆光电技术研究所
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1987年第3期
页 面：61-67页
主 题：氮化硅膜 Si/N Lorentz-Lorenz 氮化硅薄膜 PECVD MPCVD
摘 要：本文主要介绍利用电子极化的Lorentz(劳伦茨)-Lorenz(劳伦兹)关系监测和研究等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)和微波等离子体化学汽相淀积(MPCVD)氮化硅薄膜的Si/N比值,以及如何应用该关系进行工艺实验和工艺监测。
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