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Electrical Characteristics of High Mobility si/si_(0.5)Ge_(0.5)/SOI Quantum-Well p-MOSFETs with a Gate Length of 100 nm and an Equivalent Oxide Thickness of 1.1 nm

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Chinese Physics Letters 2013年第10期30卷 214-216页

作者： MU Zhi-Qiang YU Wen-Jie ZHANG Bo XUE Zhong-Ying CHEN Ming State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050

Short-channel high-mobility si/si_(0.5)Ge_(0.5)/silicon-on-insulator(SOI)quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors(p-MOSFETs)were fabricated and electrically *** transistors show good transfer and output characteristics with Ion/Ioff ratio up to 105 and sub-threshold slope down to 100 mV/***_(2)/TiN gate stack is employed and the equivalent oxide thickness of 1.1 nm is *** effective hole mobility of the transistors reaches 200 cm^(2)/V·s,which is 2.12 times the si universal hole mobility.

关键词： si/si SOI MOSFETs

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Effect of si/si_(1-y)C_(y)/si Barriers on the Characteristics of sil-xGex/si Resonant Tunneling Structures

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Chinese Physics Letters 2000年第11期17卷 844-846页

作者： HAN Ping CHENG Xue-Mei Department of Physics Nanjing UniversityNanjing 210093 Masao SakurabaYoung-Cheon JeongTakashi MatsuuraJunichi Murota Research Institute of Electrical CommunicationTohoku University 2-1-1 KatahiraAoba-kuSendai 980-8577Japan

P-type double barrier resonant tunneling diodes (RTD) with the single si0.6Ge0.4 quantum well and double si0.6Ge0.4spacer have been realized by using an ultra clean low-pressure chemical vapor deposition system. The effect of si_(1-y)C_(y) layer on the characteristics of the devices was shown by comparing the current-voltage (I-V) characteristics of RTD’s of the barriers of si layers with that of si/ si_(1-y)C_(y)/si structures. The peak voltage was gradually increased and the resonant current decreased obviously with increasing C content in the si/ si_(1-y)C_(y)/si barriers. The origin of the phenomena above can be attributed to the C related deep acceptor levels in the si/ si_(1-y)C_(y)/si barriers. The possible mechanism for the observed I- V characteristics was shown more clearly by increasing C content to 3% and changing the thicknesses of si and si_(1-y)C_(y) layers in the si/si_(1-y)C_(y)/si barriers.

关键词： si/si resonant Tunnel

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High Hole Mobility si/si_(l-x)Ge_(x)/si Heterostructure

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Chinese Physics Letters 1994年第2期11卷 116-118页

作者： JIANG Ruolian LIU Jianlin ZHENG Youdou ZHENG Guozhen WEI Yayi SHEN Xuechu Department of Physics Nanjing UniversityNanjing 210008 National Laboratory for Infrared Physics Shanghai 200083

High mobility si/si_(l-x)Ge_(x)/si p-type modulation-doped double heterostructures have been grown by RRH/VLP-CVD(rapid radiant heating/very low pressure-CVD).Hole Hall mobilities as high as about 300cm^(2)/V.s(293 K)and 7500cm^(2)/V.s(77K)have been obtained for heterostructures with x=*** variation of hole mobility with temperature and the influence of Ge fraction on hole mobility were investigated.

关键词： si/si mobility heterostructure

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si/Ti/Au/si键合技术研究及其应用

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光电子．激光 2004年第7期15卷 839-841页

作者：杨道虹徐晨李兰吴苗沈光地北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室北京100022

运用si/Ti/Au/Au/Ti/si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于si/si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红... 详细信息

运用si/Ti/Au/Au/Ti/si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于si/si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。

关键词：共熔键合微电子机械系统高温退火 Au/si si/si

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