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Influence of schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

引用

Chinese Physics B 2013年第4期22卷 394-398页

作者：曹芝芳林兆军吕元杰栾崇彪王占国 School of Physics Shandong University Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences

Rectangular schottky drain AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors （HFETs） with different gate contact areas and conventional AlGaN/AlN/GaN HFETs as control were both fabricated with same size. It was found there is a significant difference between schottky drain AlGaN/AlN/GaN HFETs and the control group both in drain series resistance and in two-dimensional electron gas （2DEG） electron mobility in the gate–drain channel. We attribute this to the different influence of Ohmic drain contacts and schottky drain contacts on the strained AlGaN barrier layer. For conventional AlGaN/AlN/GaN HFETs, annealing drain Ohmic contacts gives rise to a strain variation in the AlGaN barrier layer between the gate contacts and the drain contacts, and results in strong polarization Coulomb field scattering in this region. In schottky drain AlGaN/AlN/GaN HFETs, the strain in the AlGaN barrier layer is distributed more regularly.

关键词： AlGaN/AlN/GaN HFET schottky drain contact AlGaN barrier layer strain polarization Coulomb field scattering

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