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Near Infrared Photoluminescence from Yb,Al Co-implanted siO2 Films on silicon

Chinese Physics Letters 2006年第8期23卷 2183-2186页

作者：张建国王晓欣成步文余金中王启明 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences

Intense room-temperature near infrared （NIR） photoluminescence （980 nm and 1032 nm） is observed from Yb,Al co-implanted siO2 films on silicon. The optical transitions occur between the ^2F5/2 and ^2F7/2 levels of Yb^3＋ in siO2. The additional Al-implantation into siO2 films can effectively improve the concentration quenching effect of Yb^3＋ in siO2. Photoluminescence excitation spectroscopy shows that the NIR photoluminescence is due to the non-radiative energy transfer from Al-implantation-induced non-bridging oxygen hole defects in siO2 to Yb^3＋ in the Yb-related luminescent complexes. It is believed that the defect-mediated luminescence of rare-earth ions in siO2 is very effective.

关键词： si-nanocrystals MU-M ENERGY-TRANSFER RICH siO2 LUMINESCENCE EXCITATION EMISsiON IONS FLUORESCENCE WAVELENGTH

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