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Features of recombination radiation of GaAs Type Semiconductors with the Participation of Fine Acceptor Levels in a Magnetic Field

引用

Journal of Applied Mathematics and Physics 2024年第7期12卷 2407-2420页

作者： Nosirjon Khaydarovich Yuldashev Iftixorjon Isaqovich Yulchiev Bozorboy Joboraliyevich Akhmadaliev Khusanboy Manopovich Sulaymonov Fergana Polytechnic Institute Fergana Uzbekistan

Using the method of Picus and Beer invariants, general expressions are obtained for the total intensity I and the degree of circular polarization Р*** the luminescence of GaAs-type semiconductors with the participation of shallow acceptor levels in a longitudinal magnetic field H. Special cases are analyzed depending on the value and direction of the magnetic field strength, as well as on the constants of the g-factor of the acceptor g1,g2and the conduction band electron ge. In the case of a strong magnetic field H// [100], [111], [110], a numerical calculation of the angular dependence of the quantities I and Р*** performed for some critical values of g2/g1, at which Р*** a sharp anisotropy in the range from −100% to +100%, and the intensity of the crystal radiation along the magnetic field tends to a minimum value.

关键词： Semiconductor recombination radiation Shallow Acceptor Center Magnetic Field Zeeman Splitting g-Factors Anisotropy Circular Polarization Intensity

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