检索结果-南通市图书馆

Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer rese2/mos2 p-n heterojunctions

Nano research 2016年第2期9卷 507-516页

作者： Xiaoting Wang Le Huang Yuting Peng Nengjie Huo Kedi Wu Congxin Xia Zhongming Wei Sefaattin Tongay Jingbo Li State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures Institute of semiconductors Chinese Academy of Sciences RO. Box 9/2 Beijing 100083 China Physics and Electronic Engineering College Henan Normal University Xinxiang 453007 China School for Engineering of Matter Transport and Energy Arizona State University Tempe Arizona 85287 USA

Van der Waals （vdW） heterojunctions are equipped to avert dangling bonds due to weak, inter-layer vdW force, and ensure strong in-plane covalent bonding for two-dimensional layered structures. We fabricated four heterojunctions devices of different layers based on p-type distorted 1T-MX2 rese2 and n-type hexagonal mos2 nanoflakes, and measured their electronic and optoelectronic properties. The device showed a high rectification coefficient of 500 for the diode, a high ON/OFF ratio and higher electron mobility for the field-effect transistor （FET） compared with the individual components, and a high current responsivity （Rλ） and external quantum efficiency （EQE） of 6.75 A/W and 1,266%, respectively, for the photodetector.

关键词： rese2/mos2 van der Waals heterojuncfion rectification optoelectronic properties

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：