检索结果-南通市图书馆

准同型相界附近PLZT铁电陶瓷相变的原位raman谱观测

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金属学报 2008年第1期44卷 29-33页

作者：刘怡萱程璇张颖厦门大学材料学院材料科学与工程系厦门361005 厦门大学材料学院材料科学与工程系固体表面物理化学国家重点实验室厦门361005

对Zr与Ti的原子比约为52/48,掺杂了少量La、Mn和Nb的PLZT铁电陶瓷进行了不同温度下的原位raman谱观测,对所获得的谱图进行温度分布修正,再利用阻尼-谐振-振荡器模型的光谱响应函数及Gauss分布函数对所得结果进行分峰拟合,得到了各raman... 详细信息

对Zr与Ti的原子比约为52/48,掺杂了少量La、Mn和Nb的PLZT铁电陶瓷进行了不同温度下的原位raman谱观测,对所获得的谱图进行温度分布修正,再利用阻尼-谐振-振荡器模型的光谱响应函数及Gauss分布函数对所得结果进行分峰拟合,得到了各raman峰的波数和峰强随温度的变化规律.结果表明,准同型相界附近的PLZT铁电陶瓷在47—600℃升温过程中,于240和360℃分别发生两次相变,表明样品中可能存在混合相;通过比较未极化和极化样品的raman谱峰的变化结果,分析了预极化处理对相变的影响.

关键词：准同型相界铁电陶瓷相变原位 raman谱

非晶纳米过氧聚钨酸的raman谱、热稳定性及UV-Vis光吸收特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光谱学与光谱分析 2016年第4期36卷 991-995页

作者：张锋董亚博孟范成重庆理工大学光电信息学院重庆400054 重庆理工大学材料科学与工程学院重庆400054

过氧聚钨酸是通过化学途径合成各种纳米结构氧化钨的重要前驱物之一。本文以双氧水（H_2O_2）、钨粉（W）和无水乙醇为原料合成了过氧聚钨酸溶胶,随后在常温下长时间放置,直至自然凝固,并在120℃干燥3h后得到最终的深黄色胶状固体。利用... 详细信息

过氧聚钨酸是通过化学途径合成各种纳米结构氧化钨的重要前驱物之一。本文以双氧水（H_2O_2）、钨粉（W）和无水乙醇为原料合成了过氧聚钨酸溶胶,随后在常温下长时间放置,直至自然凝固,并在120℃干燥3h后得到最终的深黄色胶状固体。利用XRD、SEM、raman谱、TG/DSC分析和UV-Vis谱等分别考察了样品的成分结构、热稳定性和UV-Vis光吸收特性。宽的XRD峰表明样品是非晶结构,明显峰位的高斯型拟合表明样品是氧化钨与水合氧化钨的复合物。SEM表明样品呈纳米颗粒状（50～100nm）和片层状形貌（厚约50nm）。宽而明显的raman峰的高斯型拟合进一步表明样品是非晶氧化钨和水合氧化钨的复合物,不仅拥有非常明显的O—W—O对称伸缩、非对称伸缩和WO振动,而且伴有O—W—O对称弯曲、非对称弯曲及吸附水的振动模式。TG/DSC分析表明过氧聚钨酸凝胶固体在120～500℃范围内存在四个不同的热力学过程：（Ⅰ）过氧聚钨酸凝胶固体的缓慢晶化（120～165℃）;（Ⅱ）H_2O_2的分解和H_2O的去吸附（165～236℃）;（Ⅲ）水合氧化钨的快速分解（236～287℃）;（Ⅳ）最终产物WO_3的晶化和相变（287～500℃）。UV-Vis谱表明样品在350～600nm范围存在一个明显的带边吸收,其光学带隙约2.25eV,明显低于当前已报道的WO_3和H_2WO_4的带隙值（2.45～3.50eV）。存留在复合物中的水分子、氧缺陷以及结构性畸变应该是导致其拥有较窄带隙的关键因素。

关键词：过氧聚钨酸 raman谱热稳定性 UV-Vis谱

BaCe_(1-x)Eu_xO_(3-δ)电解质的raman谱与TG-DTA研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国稀土学报 2009年第4期27卷 514-518页

作者：王金霞简家文宁波工程学院电子与信息工程学院浙江宁波315016 宁波大学信息与科学工程学院浙江宁波130023

合成了初始摩尔比为Ba/(Ce+Eu)=1.0和1.1的钙钛矿型氧化物BaCe1-xEuxO3-δ(x=0.05,0.10,0.15,0.20)。XRD分析表明,过量Ba的样品Ba/(Ce+Eu)=1.1已成钙钛矿单相,样品Ba/(Ce+Eu)=1.0有微量CeO2相存在。raman谱分析表明,微量CeO2相的产生是由于高温烧结时引起一定量BaO的蒸发引起的;样品Ba/(Ce+Eu)=1.1中过量的Ba对高温烧结时BaO的蒸发起到了补偿作用。热重(TGA)和差热分析(DTA)显示,样品长期放置在空气中,会与空气中的CO2发生一定的反应。

关键词：氧化物粉末衍射 raman谱热重-差热稀土

VMgO催化剂上丙烷氧化脱氢反应的原位raman谱学研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

分子催化 1998年第3期12卷 207-213页

作者：方智敏翁维正万惠霖蔡启瑞厦门大学化学系物理化学研究所固体表面物理化学国家重点实验室

应用原位Ｒａｍａｎ谱学方法，考察了反应条件下ＶＭｇＯ催化剂分别与氧、丙烯、丙烷和丙烷／氧混合气等的相互作用．结果表明，ＶＭｇＯ催化剂具有较好的被还原性，而再氧化过程则缓慢得多；丙烷与氧在ＶＭｇＯ催化剂上的反应可能遵循... 详细信息

应用原位Ｒａｍａｎ谱学方法，考察了反应条件下ＶＭｇＯ催化剂分别与氧、丙烯、丙烷和丙烷／氧混合气等的相互作用．结果表明，ＶＭｇＯ催化剂具有较好的被还原性，而再氧化过程则缓慢得多；丙烷与氧在ＶＭｇＯ催化剂上的反应可能遵循Ｍａｒｓ－ｖａｎＫｒｅｖｅｌｅｎ晶格氧反应机理；丙烷的活化需要表面晶格氧物种，这些氧物种一旦生成就能很快与丙烷作用，而氧的吸附活化并转化为表面晶格氧物种是维持丙烷氧化脱氢反应Ｍａｒｓ－ｖａｎＫｒｅｖｅｌｅｎ催化循环的重要步骤．

关键词：丙烷氧化脱氢催化剂 raman谱钒镁

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

金牛T型星LkH_α120的raman谱

天文学报 1992年第1期33卷 1-4页

作者：曹新伍张象铝中国科学技术大学天体物理中心合肥230026

最近,raman散射被成功地用来解释某些天体的谱线形成,raman散射在天体物理中有着广泛的应用。本文考查了金牛T型星LkH_α120的谱线资料,并估算了raman散射的截面及谱线的强度,发现金牛T型星LkH_α120的未被证认的谱线:λλ4200.9,5098.1... 详细信息

最近,raman散射被成功地用来解释某些天体的谱线形成,raman散射在天体物理中有着广泛的应用。本文考查了金牛T型星LkH_α120的谱线资料,并估算了raman散射的截面及谱线的强度,发现金牛T型星LkH_α120的未被证认的谱线:λλ4200.9,5098.1 5613.9,5768.0,5859.0,6633.5,6667.0,7500.0A很可能是FeI,FeII线系被H原子、H_2分子和CO分子散射后所产生的raman谱。

关键词：金牛T型星 LKHα120 raman谱

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

对氢化非晶硅薄膜raman谱TA模的观测

Journal of Semiconductors 1991年第9期12卷 542-545页

作者：何宇亮程光煦南京大学物理系南京210008 南京大学现代分析中心及固体微结构国家实验室南京210008

对a-Si:H及μC-Si:H膜的raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分... 详细信息

对a-Si:H及μC-Si:H膜的raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律.

关键词：氢化非晶硅薄膜 raman谱 TA膜

raman谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光散射学报 2002年第4期14卷 190-197页

作者：费允杰王学进熊艳云冯克安中国科学院物理研究所北京100080

藉助SEM和MICRO raman ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前... 详细信息

藉助SEM和MICRO raman ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。

关键词： raman谱退火镍衬底甲烷金刚石薄膜成核 CVD 化学气相沉积

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多孔硅的微结构对其raman谱的影响

半导体光电 2004年第3期25卷 194-196页

作者：刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远长沙电力学院物理与信息工程系湖南长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

　用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微raman... 详细信息

　用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微raman系统研究了纵向的raman谱,同时分析了微结构对纵向raman效应的影响。

关键词：多孔硅场发射扫描电镜 raman谱微结构

C(膜)/Si(SiO_2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及raman谱测试分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

西南师范大学学报（自然科学版） 2003年第2期28卷 230-233页

作者：邱晓燕李建西南师范大学物理系重庆400715

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的样品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了SiO2晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化... 详细信息

X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的样品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了SiO2晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化作用占主导地位,把大部分Si氧化成了SiO2.对比分析在650℃和750℃退火后样品的raman谱发现:随着加热温度的升高,SiC与Si含量增加而SiO2含量减少.这表明:在750℃时,C原子的还原作用继400℃后再次占主导地位,又把一部分SiO2还原成Si.

关键词： C/S2(Si02)/C 碳膜二氧化硅碳纳米微粒碳化硅 X射线光电子能谱 raman谱硅基发光材料