Si/SiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响
Influence of Strain in the Si Cap Layer of Si/SiGe Heterostructure on Its Raman Spectra作者机构：北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心北京100088
出 版 物：《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)
年 卷 期：2005年第25卷第5期
页 面：719-722页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成。325nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征。实验发现,硅盖层中的张应变导致硅的520cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移,峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为12.5×108N·m-2。硅盖层中的张应变并未导致1555和2330cm-1的次级拉曼散射峰的变化。
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