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pecvd法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性

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华南理工大学学报（自然科学版） 1995年第12期23卷 99-105页

作者：陈蒲生王川刘小阳王岳曾绍鸿华南理工大学应用物理系

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试... 详细信息

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已达到或接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。

关键词：电学特性光学特性氮氧化硅 pecvd法栅介质膜

pecvd法低温制备SiO_xN_y薄膜微观组分的分析研究

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半导体技术 1997年第1期13卷 31-33页

作者：王锋陈蒲生王川刘小阳田万廷华南理工大学应用物理系南方四通公司信息研究所华南理工大学测试分析中心

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜... 详细信息

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组分，运用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和红外吸收光谱分析，研究薄膜的光学特性和微观组分结构。

关键词：低温 pecvd法介质膜

pecvd法低温形成SiO_xN_y介质膜的俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析

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半导体技术 2002年第7期27卷 73-76页

作者：陈蒲生张昊冯文修刘剑刘小阳王锋华南理工大学应用物理系广东广州510640 信息产业部电子五所数据中心广东广州510610 华南理工大学机电工程系广东广州510641 广东省电子技术学校广东广州510511

采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析pecvd法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。

关键词： pecvd法 SiOxNy薄介质膜俄歇电子能谱红外吸收光谱微观组分电学性能

pecvd法沉积SiO_xN_y及其性质研究

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功能材料 1991年第5期22卷 275-278页

作者：徐宝琨赵凤云赵慕愚吉林大学电子科学系化学系长春130023

本文采用pecvd技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率等工艺参数对薄膜性质的影响作了研究。结果表明,该薄膜是一种非晶态无序结构的、具有良好的抗腐蚀和掩蔽... 详细信息

本文采用pecvd技术制备了SiO_xN_y薄膜。用光电子能谱仪和红外光谱仪等对薄膜的结构、组成和其它物理性质作了测量。对温度、功率等工艺参数对薄膜性质的影响作了研究。结果表明,该薄膜是一种非晶态无序结构的、具有良好的抗腐蚀和掩蔽特性的电绝缘介质膜。

关键词： SiOxNy 绝缘薄膜 pecvd法制备

pecvd法加氢、加氮制备无定形炭的物理性质

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新型炭材料 1991年第1期7卷 54-55页

作者： Martine Ricci 魏兴海

一、引言用活性等离子体制备多样的、具有明显不同性质纯的和合金炭,有着重大的意义,除制备常规的石墨型外,pecvd法(等离子体增强化学气相沉积),制备的氢化无定形炭(α-C:H)和金刚石类晶体。应用射频(RF)等离子工艺技术,我们已制备了氢... 详细信息

一、引言用活性等离子体制备多样的、具有明显不同性质纯的和合金炭,有着重大的意义,除制备常规的石墨型外,pecvd法(等离子体增强化学气相沉积),制备的氢化无定形炭(α-C:H)和金刚石类晶体。应用射频(RF)等离子工艺技术,我们已制备了氢化无定形炭(α-C:H)并且把N掺杂进去。在这些氮化了的炭(α-C:N:H)里,我们加入了额外的π电子,增大了SP^2和SP^1键与通常由氢含量稳定的SP^3键的比值;

关键词： pecvd法加氢加氮无定形炭

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用pecvd法沉积α-C:H薄膜的研究

固体电子学研究与进展 1992年第1期12卷 58-64页

作者：顾书林何宇亮王志超孙剑程光熙南京大学物理系 210008 南京大学理化分析中心及固体微结构实验室 210008

本文报导了使用pecvd方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,... 详细信息

本文报导了使用pecvd方法沉积的α-C:H溥膜的工艺条件、薄膜结构和物性之间的联系。指出,α-C:H膜中石墨和金刚石成分的比值密切相关于反应气氛CH_4/(CH_4+H_2)的比例以及沉积系统中的衬底温度和施加在平行板电极之间的直流偏压。最后,利用化学反应平衡方程讨论了α-C:H膜的沉积机理以及[H]基对生成膜结构的影响。

关键词：非晶碳膜金刚石沉积 pecvd法

用于薄介质栅的pecvd法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性

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Journal of Semiconductors 1997年第10期18卷 776-781页

作者：陈蒲生冯文修王川王锋刘小阳田万廷曾绍鸿华南理工大学应用物理系广州510641 南方四通公司信息研究所广州510630 华南理工大学测试分析中心广州510641

研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（pecvd）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄... 详细信息

研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（pecvd）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化pecvd工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论．

关键词：薄介质栅薄膜晶体管 pecvd法半导体薄膜技术

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pecvd法淀积SiO2工艺研究

上海半导体 1991年第2期 12-18页

作者：王铁汉

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pecvd法低温沉积多晶硅薄膜的研究

液晶与显示 2003年第3期18卷 201-204页

作者：邱春文石旺舟黄羽中汕头大学物理系广东汕头515063

在玻璃衬底上采用常规的pecvd法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的... 详细信息

在玻璃衬底上采用常规的pecvd法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。

关键词： pecvd法多晶硅薄膜低温沉积太阳能电池等离子体增强化学气相沉积法