PECVD法低温制备富氮的SiO_xN_y栅介质膜及其特性
NITROGEN-RICH SiO_xN_y GATE DIELECTRIC FILM PREPARATION BY LOW TEMPERATURE PECVD METHOD AND ITS CHARACTERISTICS作者机构：华南理工大学应用物理系
出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))
年 卷 期：1995年第23卷第12期
页 面：99-105页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
主 题：电学特性 光学特性 氮氧化硅 PECVD法 栅介质膜
摘 要：在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，运用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试、俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测、Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已达到或接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。
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