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Rogue Wave for the Benjamin ono Equation

Advances in Pure Mathematics 2015年第2期5卷 82-87页

作者： Lili Song Wei Chen Zhenhui Xu Hanlin Chen School of Science Southwest University of Science and Technology Mianyang China Applied Technology College Southwest University of Science and Technology Mianyang China

In the paper, the homoclinic (hateroclinic) breather limit method (HBLM) is applied to seek rogue wave solution of the Benjamin ono equation. We find that the rational breather wave solution is just a rogue wave solution. This result shows that rogue wave can come from the extreme behavior of the breather solitary wave for (1+1)-dimensional nonlinear wave fields.

关键词： Benjamin ono Equation Extended Homoclinic Test Method Homoclinic (Hateroclinic) Breather Limit Method Rogue Wave Solution

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Application of Trial Equation Method for Solving the Benjamin ono Equation

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Journal of Applied Mathematics and Physics 2014年第3期2卷 45-49页

作者： Yang Li Department of Mathematics Northeast Petroleum University Daqing China

In the article, the nonlinear equation is reduced to an ordinary differential equation under the travelling wave transformation. Using trial equation method, the ODE is reduced to the elementary integral form. In the end, complete discrimination system for polynomial is used to solve the corresponding integrals and obtain the classification of all single travelling wave solutions to the equation.

关键词： The Nonlinear Partial Differential Equation Complete Discrimination System for Polynomial Trial Equation Method Traveling Wave Transform The Benjamin ono Equation

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ono反熔丝器件可编程特性研究

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电子与封装 2021年第7期21卷 77-82页

作者：潘福跃张明新曹利超刘佰清洪根深张海良刘国柱中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 东南大学电子科学与工程学院南京210096

ono(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ono反熔丝器件,研究了ono反熔丝阵列单元编程特... 详细信息

ono(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成方法成功制备了ono反熔丝器件,研究了ono反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性。研究结果表明,采用“AF+MOS”集成方法制备的ono反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性。

关键词： ono 反熔丝击穿电压导通电阻

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ono—802阴道栓剂在人流手术中扩张宫颈的效果观察

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现代妇产科进展 1989年第1期1卷 75-76页

作者：丁声玲曾宪芳初桂华夏寿凯江森山东医科大学妇产科教研组山东医科大学附医医院妇产科山东医科大学

人工流产为节育的有效补救措施,传统采用硬性器械扩张宫颈时,虽大多能见效,但易导致宫颈内膜损伤,甚者宫颈裂伤,在目前尚无理想麻醉的情况下,不能防止受术者的痛苦。日本小野药品工业公司合成的前列腺素(PGE),衍生物Preglandin阴道栓剂(... 详细信息

人工流产为节育的有效补救措施,传统采用硬性器械扩张宫颈时,虽大多能见效,但易导致宫颈内膜损伤,甚者宫颈裂伤,在目前尚无理想麻醉的情况下,不能防止受术者的痛苦。日本小野药品工业公司合成的前列腺素(PGE),衍生物Preglandin阴道栓剂(即ono—802)具有使子宫收缩与宫颈管扩张的作用,可作为人工流产器械手术的辅助手段(1)本文介紹应用ono—802对人工流产术时宫颈扩张的效果观察。

关键词：人流手术 ono 宫颈管阴道栓剂宫颈裂伤宫颈内膜阴道出血药品工业计划生育门诊小野

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ono 8815 Ly抑制子宫收缩

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国外药讯 2004年第6期 20-21页

作者：徐欣

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ono反熔丝器件制备工艺及其特性研究

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材料导报 2014年第S2期 128-130+135页

作者：刘国柱张明郑若成徐静王印权洪根深中国电子科技集团公司第五十八研究所

基于1.0μm ono（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺,主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ono反熔丝器件特性的影响。研究发现,采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化... 详细信息

基于1.0μm ono（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺,主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ono反熔丝器件特性的影响。研究发现,采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化方式生长顶层氧化层等工艺制备ono反熔丝单元,其熔丝具有良好的开关态特性:半编程电压条件下漏电低（约1.0×10-2 A）、击穿电压离散性小（均匀性小于5%）、编程电阻低（编程电流大于2mA时,其熔丝编程电阻小于300Ω）等,同时,在常温25℃、工作电压5V条件下,该结构0.6.5μm孔径的反熔丝单元寿命均达10年以上。

关键词： ono 反熔丝编程电阻击穿电压

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ono和MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨

ONO和MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨

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中国工程物理研究院第七届电子技术青年学术交流会

作者：袁国火徐曦董秀成中国工程物理研究院电子工程研究所西华大学电气信息学院

本文以ono和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ono 反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2 Gy(si),而MTM(Metal-To-Metal) 反熔丝0．6μm和0．25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy(s... 详细信息

本文以ono和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ono 反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2 Gy(si),而MTM(Metal-To-Metal) 反熔丝0．6μm和0．25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000 Gy(si)N总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。

关键词： ono MTM 反熔丝总剂量

来源： cnki会议评论