ONO反熔丝器件可编程特性研究

作     者：潘福跃 张明新 曹利超 刘佰清 洪根深 张海良 刘国柱 PAN Fuyue;ZHANG Mingxin;CAO Lichao;LIU Baiqing;HONG Genshen;ZHANG Hailiang;LIU Guozhu

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 东南大学电子科学与工程学院南京210096 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2021年第21卷第7期

页      面：77-82页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：ONO 反熔丝 击穿电压 导通电阻 

摘      要：ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件。基于0.6μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS和“MOS+AF集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性。研究结果表明,采用“AF+MOS集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性。