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一种超βnpn晶体管的研制

微电子学 2005年第6期35卷 689-692页

作者：阚玲欧宏旗中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060

阐述了一种超βnpn型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE＝5 V、IC＝500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.

关键词：超β npn晶体管双极晶体管半导体工艺

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npn晶体管阵列电路

世界产品与技术 1999年第3期 21-22页

作者：贾明浩杨维成中国兵器工业部214所

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双极npn晶体管的电迁移

电子产品可靠性与环境试验 1990年第5期8卷 31-33,18页

作者： Wada,T 李志国

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不同电子通量下npn晶体管的辐照损伤研究

不同电子通量下NPN晶体管的辐照损伤研究

第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会

作者：郑玉展陆妩任迪远郭旗余学锋吕晓龙王义元中国科学院新疆理化技术研究所

本文研究了npn晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现,不同电子通量下辐照到相同电子注量,对npn晶体管造成的辐照损伤不同。低电子通量辐射下,晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果,这与Coγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强... 详细信息

本文研究了npn晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现,不同电子通量下辐照到相同电子注量,对npn晶体管造成的辐照损伤不同。低电子通量辐射下,晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果,这与Coγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强效应相类似。文中对出现这一现象的损伤机制进行了探讨。

关键词：电子辐照不同通量 npn晶体管辐照损伤

来源： cnki会议 cnki会议评论

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npn型晶体管辐射损伤及退火效应研究

NPN型晶体管辐射损伤及退火效应研究

作者：赵志明哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

本文采用低能质子和电子作为辐照源,研究了npn双极型晶体管(3DG112D)在辐照过程中的性能退化规律。电流增益是双极型晶体管的电性能参数中关键的参数,其衰减是双极型晶体管最显著同时也是最典型的辐射损伤效应。本文中除研究双极型晶体... 详细信息

本文采用低能质子和电子作为辐照源,研究了npn双极型晶体管(3DG112D)在辐照过程中的性能退化规律。电流增益是双极型晶体管的电性能参数中关键的参数,其衰减是双极型晶体管最显著同时也是最典型的辐射损伤效应。本文中除研究双极型晶体管电流增益随辐照注量的变化外,还在辐照试验完成后,研究了电流增益随退火时间、温度、偏置条件的变化规律。研究表明,在相同的辐照源种类、粒子能量及通量条件下,npn型晶体管电性能参数随着辐照注量的不断增加而加剧;当晶体管受到110和70keV电子辐照,70keV质子辐照时,其电流增益的倒数随辐照注量的增加而增加且逐渐趋于饱和状态;当晶体管受到170keV质子辐照时其电流增益的倒数随辐照注量的增加而增加且呈线性关系;当170keV与110keV电子同时辐照时,位移损伤效应起了主导作用,而电离效应会对加剧位移损伤的影响。退火试验结果表明,等温退火时,npn型晶体管电性能随退火时间的增加逐渐恢复。等时退火时,温度越高,npn型晶体管电性能的退火效应越明显。在退火过程中,发射结反偏,会加速npn型晶体管的电性能恢复;而发射结正偏的影响较小。不同种类辐照源对退火效应的影响也不相同。低能电子对npn型晶体管造成的电离损伤在较低温度(低于300℃)就能完全恢复,而由低能质子造成损伤则需要较高的温度(500℃)才能有明显的恢复效果。

关键词： npn晶体管辐照电离损伤位移损伤退火效应

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npn晶体管部分参数计算及仿真研究

电子世界 2014年第19期 113-114页

作者：王健王思蓉刘爽沈阳化工大学信息工程学院天津大学精密仪器与光电子工程学院

应用半导体物理理论对npn晶体管放大系数等参数进行了两种方法计算，采用SILVACO ATLAS软件对晶体管建模并仿真求取，比较了仿真与计算结果。为设计者提供了一种理论计算与仿真一致性较好的晶体管设计方法。

关键词： npn晶体管放大系数迁移率

发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响

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核技术 2018年第11期41卷 44-48页

作者：刘默寒陆妩贾金成施炜雷王信李小龙孙静郭旗吴雪张培健中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

为了研究发射极尺寸对双多晶自对准npn型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准npn双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率... 详细信息

为了研究发射极尺寸对双多晶自对准npn型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准npn双极晶体管在高低剂量率辐照条件下进行了辐照实验,在实验数据基础上对其损伤特性以及损伤机理进行的分析表明,高低剂量率辐照下双多晶自对准工艺制备的npn型双极晶体管都具有良好的抗电离辐照损伤能力,且低剂量率辐照损伤均大于高剂量率。同时,实验及理论分析结果都表明:双多晶自对准双极晶体管的抗辐照能力与发射极的周长面积比密切相关,发射极周长面积比越小,晶体管抗辐照能力越强,且在发射极宽度一定时,发射极条越长抗辐照能力越强。

关键词：双多晶自动准 npn晶体管发射极尺寸剂量率效应

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晶体管的大电流性能

半导体技术 1990年第3期6卷 26-29页

作者：刘振隆湖南省湘潭市无线电五厂

本文着重讨论硅平面小功率npn三极管的大电流性能,对其它类型的晶体管也是有益的。

关键词：硅平面 npn晶体管电流性能

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应

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固体电子学研究与进展 2012年第2期32卷 131-134页

作者：洪根深顾爱军中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为... 详细信息

0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。

关键词：绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管双极效应 npn晶体管抗辐射