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  • 1 篇 《微型计算机》记者
  • 1 篇 <日经电子>
  • 1 篇 《日经电子》记者
  • 1 篇 旺宏有限公司苏州...

作者

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  • 2 篇 浅川直辉
  • 1 篇 姚会
  • 1 篇 周慧
  • 1 篇 作井康司
  • 1 篇 马宇川
  • 1 篇 david lammers
  • 1 篇 胡稹
  • 1 篇 谢亚立
  • 1 篇 mary
  • 1 篇 林咏

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  • 20 篇 中文
检索条件"主题词=NAND型"
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美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值nand型闪存
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光机电信息 2008年 第6期25卷 59-59页
美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值nand型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit，可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。
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满足照相手机需求三星、东芝扩增nand型闪存产能
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电子测试（新电子） 2005年 第4期 6-6页
日本经济新闻报导指出，照相手机成为现代人随身配备后可能带动全球NOR型与nand型闪存市场势力的板块推移。尽管nand型Flash锁定在许多消费性电子应用装置，包括MP3播放机、U盘与其他数据存储市场，但nand型Flash与NOR型Flash一较高下... 详细信息
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三星推出8GB nand型闪存
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半导体信息 2004年 第2期 30-30页
作者： 周慧
三星电子日前推出全球存储量最大的8GB nand型闪存芯片。由于nand是一种可以迅速输入和删除信息的高密度存储芯片,因此广泛应用于数码相机中。新芯片是依靠三星特有技术开发出来的,这种技术可将4个2GB
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与忆正存储工程师畅谈固态硬盘
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微型计算机 2008年 第13期28卷 147-151页
作者： 本刊记者 《微型计算机》记者
计算机技术的飞速发展离不开存储设备的支持，从半个世纪前第一块温彻斯特硬盘出现至今，从最初的几MB到现在的数TB，这种硬盘作为计算机，尤其是个人计算机的主要存储器为IT产业的发展立下了汗马功劳。然而时过境迁，随着人们对数据存... 详细信息
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64Gb nand将成主流速度竞争日趋激烈
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电子设计应用 2005年 第4期 47-47,49-50,52,54-55,57-58页
作者： 大石基之 浅川直辉 林咏 《日经电子》记者 不详
许多闪存生产厂家表示:'利用目前的单元结构有希望逼近64Gb大关.'在单芯片上集成容量两倍于iPod mini的闪存有可能在2010年前后上市(见图17).
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价格突破垄断 应用更加广泛
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电子设计应用 2005年 第4期 28-28,30,32-34,36,69页
作者： 大石基之 浅川直辉 <日经电子>
据韩国的主要存储器厂商介绍:'在日本,许多电子词典制造厂家都开始在其产品中采用nand型闪存替代掩膜ROM.而在韩国,几乎所有手机制造厂家的产品都已经将代码存储从NOR型转换为nand型.'
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海力士成功开发出采用3重单元技术的32Gbitnand型闪存
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机电工程技术 2008年 第7期37卷 7-7页
韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）于2008年6月3日宣布成功开发出采用3重单元（3bit／单元）技术的32Gbitnand型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元（MLS）技术相比，芯片面积能减少30％以上，可大大节约成本。该公司将以... 详细信息
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浅析闪速存储器接口的类型与应用
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电子世界 2012年 第21期 92-93页
作者： 谢亚立 旺宏(香港)有限公司苏州代表处
本文主要对闪速存储器(闪存)的接口类型和应用进行浅析。通过对闪速存储器的NOR型和nand型所涉及到的各种接口分类、接口应用的时序和传输方式的比较,进一步的阐明了闪速存储器接口的特性和应用的趋势。
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东芝将投资超5000亿日元新建半导体工厂并与闪迪合作
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半导体信息 2016年 第1期 39-40页
据《朝日新闻》报道，东芝近日宣布将在位于三重县四日市的半导体工厂新建厂房，并与美国半导体著名品牌闪迪（SanDisk）开展合作，投资金额超过5000亿日元。新厂房预计将于2017年开始投入使用，主要生产用于智能手机的最新型nand型闪存。
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大容量快闪储存器
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电子外贸 1998年 第7期 59-60页
作者： 作井康司 胡稹
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