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Required cigs and cigs/mo interface Properties for High-Efficiency Cu(In, Ga)Se<SUB>2</SUB>Based Solar Cells

Advances in Materials Physics and Chemistry 2020年第7期10卷 151-166页

作者： Soumaïla Ouédraogo Marcel Bawindsom Kébré Ariel Teyou Ngoupo Daouda Oubda François Zougmoré Jean-Marie Ndjaka Laboratoire de Matériaux et Environnement (LA.M.E)− UFR/SEA Université Joseph Ki-ZERBO Ouagadougou Burkina Faso Département de Physique Faculté des Sciences Université de Yaoundé I Yaoundé Cameroun

In this work, we have modeled and simulated the electrical performance of cigs thin-film solar cell using one-dimensional simulation software (SCAPS-1D). Starting from a baseline model that reproduced the experimental results, the properties of the absorber layer and the cigs/mo interface have been explored, and the requirements for high-efficiency cigs solar cell were proposed. Simulation results show that the band-gap, acceptor density, defect density are crucial parameters that affect the performance of the solar cell. The best conversion efficiency is obtained when the absorber band-gap is around 1.2 eV, the acceptor density at 1016 cm−3 and the defect density less than 1014 cm−3. In addition, cigs/mo interface has been investigated. It appears that a thin moSe2 layer reduces recombination at this interface. An improvement of 1.5 to 2.5 mA/cm2 in the current density (Jsc) depending on the absorber thickness is obtained.

关键词： Cu(In Ga)Se2 Band-Gap Acceptor Density Defect Density mo/cigs-interface

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