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Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and micro-raman measurement on Composition Determination of High Ge Content Si_(1-x)Ge_(x) Layer Epitaxied on Si Substrate

引用

Journal of Materials Science & Technology 2006年第5期22卷 651-654页

作者： Lei ZHAO Yuhua ZUO Buwen CHENG Jinzhong YU Qiming WANG State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of SciencesBeijing 100083 China

It is important to acquire the composition of Si1-xGex layer, especially that with high Ge content, epitaxied on Si substrate. Two nondestructive examination methods, double crystals X-ray diffraction （DCXRD） and micro-raman measurement, were introduced comparatively to determine x value in Si1-xGex layer, which show that while the two methods are consistent with each other when x is low, the results obtained from double crystals X-ray diffraction are not credible due to the large strain relaxation occurring in Si1-xGex layers when Ge content is higher than about 20%. micro-raman measurement is more appropriate for determining high Ge content than DCXRD.

关键词： Si1-xGex Ge content Composition determination Double crystals X-ray diffraction (DCXRD) micro-raman measurement

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