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  • 1 篇 锗硅异质结双极晶...

机构

  • 1 篇 上海集成电路研发...
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  • 1 篇 清华大学
  • 1 篇 清华信息科学与技...
  • 1 篇 西安理工大学

作者

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  • 1 篇 郑少华
  • 1 篇 崔杰
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检索条件"主题词=Mextram模型"
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锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应mextram模型研究
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电子学报 2023年 第6期51卷 1493-1499页
作者： 刘静 郑少华 刘茵 西安理工大学电子工程系 陕西西安710048
传统mextram模型基于雪崩倍增电流源Iavl来描述硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应,忽略了射频条件下因雪崩倍增相位延迟以及载流子传输时间延迟带来的集电结电感延迟问题.对硅锗异质结双极晶体管的雪崩倍增效应进行了研究,解释了导致... 详细信息
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SiGe HBT的mextram 504模型温度参数提取与模型改进
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Journal of Semiconductors 2008年 第5期29卷 960-964页
作者： 任铮 胡少坚 蒋宾 王勇 赵宇航 上海集成电路研发中心 上海201203
针对IMEC0．13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管，在25～125℃温度范围内，对其进行了包括Early电压，Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量，提取了该器件在25～125℃范围内的温... 详细信息
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SiGe HBT mextram模型参数的直接提取
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微电子学 2011年 第5期41卷 746-750页
作者： 周佩明 付军 周天舒 李平梁 徐向明 王玉东 张伟 崔杰 刘志弘 清华大学微电子学研究所 北京100084 清华信息科学与技术国家实验室 北京100084 上海华虹NEC电子有限公司 上海201206
提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)mextram集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEX... 详细信息
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