SiGe HBT MEXTRAM模型参数的直接提取

作     者：周佩明 付军 周天舒 李平梁 徐向明 王玉东 张伟 崔杰 刘志弘 ZHOU Peiming;FU Jun;ZHOU Tianshu;LI Pingliang;XU Xiangming;WANG Yudong;ZHANG Wei;CUI Jie;LIU Zhihong

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 清华信息科学与技术国家实验室北京100084 上海华虹NEC电子有限公司上海201206 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2011年第41卷第5期

页      面：746-750页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家科技重大专项(2009ZX02303-003) 

主　　题：参数提取 锗硅异质结双极晶体管 MEXTRAM模型 

摘      要：提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法。该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性能的影响,无需电路仿真器,就能够提取器件的模型参数,简便实用。通过提取实验制备的SiGe HBT器件的整套MEXTRAM模型参数,仿真曲线与测试数据吻合良好,证实了该方法的精确性和有效性。