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Optical properties of SrTiO3 thin films prepared by metalorganic decomposition

Chinese Physics B 2005年第3期14卷 610-614页

作者：马建华孟祥建孙璟兰林铁石富文褚君浩 NationalLaboratoryforInfraredPhysics ShanghaiInstituteofTechnicalPhysicsChineseAcademyofSciencesShanghai200083China NationalLaboratoryforInfraredPhysics ShanghaiInstituteofTechnicalPhysicsChineseAcademyofSciencesShanghai200083China//StateKeyLaboratoryofCrystalMaterialsShandongUniversityJinan250100China

SrTiO3 thin films were deposited on vitreous ilica substractes by metalorganic decomposition (MOD). The films are polycrystalline cubic in structure with the lattice constants of a=0.39nm. their optical constants (refractive index n and extinction coefficient k) were calculated by the envelope method from the transmittance spectra in the wavelength range of 190nm to 1100nm. The refractive induex of the presnet films in found to be higher than that of the other SrTiO3 fims prepared by RF sputtering, sol-gel and chemical vapour deposition. The dispersion of the refractive index in the films follows the single electronic oscillator model with oscillator strength (S0) of 0.88×1014m-2 and oscillator energy (E0) of 6.40eV. The optical band gap of the films was estimated to be 3.68eV.

关键词： optical properties SrTiO3 thin films metalorganic decomposition

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Effect of Bi_2 Ti_2O_7 Seeding Layer on Capacitance-voltage Properties of Bi_(3.54)Nd_(0.46)Ti_3O_(12) Films

引用

Journal of Materials Science & Technology 2010年第3期26卷 206-210页

作者： Huizhong Xu Liang Zhen Changhong Yang Zhuo Wang School of Materials Science and Engineering Harbin Institute of Technology Harbin 150001 China School of Environment and Materials Engineering Yantai University Yantai 264005 China

Au/Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 /Bi 2 Ti 2 O 7 /Si structure has been fabricated with a preferentially （111）-orientated Bi 2 Ti 2 O 7 seeding layer as a ferroelectric gate of metal-ferroelectric-insulator field effect *** 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 and Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 /Bi 2 Ti 2 O 7 films are both well-crystallized when annealed at 680℃ for 40 min,and have smooth,dense and crack-free *** width of memory window of the ferroelectric gate increases with increasing electric field applied to the Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 thin *** width of memory window of Au/Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 /Bi 2 Ti 2 O 7 /Si with seeding layer is relatively wider than that of Au/Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 /Si at the same bias voltage,and the counterclockwise hysteresis curve of Au/Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 /Bi 2 Ti 2 O 7 /Si is referred to as polarization type switching at different *** 2 Ti 2 O 7 seeding layer plays an important role in alleviating the element interdiffusion between Bi 3.54 Nd 0.46 Ti 3 O 12 and Si.

关键词： metalorganic decomposition Bismuth titanate Ferroelectric materials

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